[参考译文] CSD8.7381万P：泄漏电流最大值

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1092593/csd87381p-leakage-current-maximum-value

部件号：CSD8.7381万P
主题中讨论的其他部件： CSD8.7588万N

当Q1打开时，当Q2处于关闭状态时，在输出电压受到影响之前，可能发生的最大泄漏电流值IDSS是多少？我希望分析此设备可以看到的任何最坏情况下的故障，因此即使这不太可能，我也想知道数据表中的限值，当VDS = 24V时，IDSS被指定为最大电流为1 uA，高于此值的电流是否会改变输出电压？

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1807890 points

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您好Connor：

感谢您对TI FET的关注。通过任一FET的泄漏电流导致的输出电压变化应可忽略不计。 PWM控制器应校正占空比，以保持输出电压调节，而不考虑通过FET的泄漏。我提取了在产品开发过程中收集的表征数据，在VdS = 24V和TJ = 25°C时，每个FET的IDSS大大低于数据表中的1μA Ω 最大规格。 TI只能保证数据表中指定的内容。请记住，泄漏随温度和电压的增加而增加，但对输出电压的影响仍然很小或没有。有关详细信息，请参阅以下技术文章。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-s-not-in-the-power-mosfet-data-sheet-part-1-temperature-dependency

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-s-not-in-the-power-mosfet-data-sheet-part-2-voltage-dependent-leakage-currents

此致，

约翰·华莱士

TI FET应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1807890 points

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您好，John：

感谢您的回复！这非常有用，并且解答了我需要了解的CSD8.7381万P信息。

我对 CSD87.5888万N有相同的问题，答案是否相同？

此致，
Connor

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1807890 points

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您好，Connor：

CSD8.7588万N使用具有较高VGS额定值的不同FET：+/-20V与CSD8.7381万P的+10V/-8V。两种功率块器件在其数据表中具有相同的最大IDSS：VDS = 24V时为1μA，TJ = 25°C 根据VdS = 24V和TJ = 25°C时的特性数据，CSD8.7588万N典型泄漏量大约相同(<50nA) 如果您有任何其他问题或需要更多信息，请告诉我。

谢谢！

John

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1807890 points

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谢谢！这回答了我所有的问题

电源管理（参考译文帖）

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