[参考译文] LG3422R030：GaNFET具有内装栅极驱动器慢速漏极-源电压转换率问题

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1088122/lmg3422r030-ganfet-with-build-in-gate-driver-slow-drain-source-voltage-slew-rate-problem

大家好！

我是Alper。 我正在使用集成栅极驱动器(LMG3422R030)的GaNFET。 GaNFET的数据表指出，它在20V/ns - 150V/ns之间接通电源时具有漏极至源电压转换速率。 我设计了一个同步降压转换器来观察GaNFET的转换速率性能，令我惊讶的是，它与数据表中有关器件转换速率的描述相去甚远。

我的同步降压转换器设计参数如下所示：

输入电压：48V

输出电压：15V

电感= 200uH，输出电容：1uF，负载：8欧姆

我使用了1GHz带宽示波器和6.25GS/S以及500MHz带宽探头。  

下图演示了降压转换器中低压侧GaNFET的引流2源电压。 可以观察到GanFET接通转换速率非常慢。 我想了解原因。

我知道，通过将电阻器连接到其引脚，GaNFET转换速率可以降低。 但是，在开机期间，不能将GaNFET转换速率减慢到低于20V/ns。 如上图所示，转换速率为48V/300ns。

有何想法？