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[参考译文] TPS2.5927万：TPS2.5927万反向电流阻断支持

admin
Guru**** 1788110 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/584067/tps25927-tps25927-reverse-current-blocking-support

部件号：TPS2.5927万
主题： TPS2.594万中讨论的其他部件

尊敬的先生：

根据TPS2.5927万数据表，它具有 反向电流阻塞支持。 我查看功能框图，它不会在芯片上背对背显示MOSFET。

因为我需要选择带背对背反向电流保护的负载开关。 请问TPS2.5972万的工作模型如何工作？ 谢谢。

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    TI__Guru**** 1788110 points
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    你好，Lucifer，

    请告诉我们您的应用要求，以建议合适的设备。  

    您的系统需要什么终端设备和什么级别的保护？

    您的系统的电压和电流要求？

    TPS2.5927万器件支持通过外部N-FET实现反向电流阻断，如下所示。 如果您正在寻找集成的背对背FET配置，请查看TPS2.594万，TPS2.5942万器件。

    此致，

    Rakesh

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    TI__Guru**** 1788110 points
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    你好，Lucifer，

    您对此有任何更新吗？
    TPS2.594万，TPS2.5942万器件是否符合您的要求？

    此致，
    Rakesh
  • 0
    TI__Guru**** 1788110 points
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    尊敬的Rakesh：

    TPS2.594万 正是我需要的，谢谢。

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    TI__Guru**** 1788110 points
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    您好，Rakesh，

    我有一个关于客户应用的TPS2.5927万的类似问题。  在我看来，TPS2.5927万在没有外部BFET的情况下，电流仍然可以通过内部二极管从输出流至输入(这是否会导致任何问题)？  另一个问题是，BFET引脚是否可用于将两个外部FET驱动回背(客户正在寻找更低的RDS_ON FET，而不是内部提供的)？  

    谢谢！

    Chuchen

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    TI__Guru**** 1788110 points
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    您好，Chuchen，

    是的，您是正确的-没有外部BFET，电流仍通过内部主体二极管从输出流至输入。 内部MOSFET的主体二极管不能长期支持高电流。 它应该能够处理短时间内<5A (<10 us)的电流，长时间内处理小电流(<100mA)的电流。

    用于驱动外部FET的BFET引脚
    正如您在功能方框图中所看到的，BFET引脚只是基于Vin，EN/UVLO阈值的控制引脚。 它不能为浪涌电流和过流/瞬态峰值电流提供保护。
    您的应用程序需要哪些RDS_ON？为什么它很重要？ 并联是减少RDS_ON的一个选项-请参阅 www.ti.com/.../slva836.pdf

    此致
    Rakesh
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    TI__Guru**** 1788110 points
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    您好，Rakesh，

    感谢您的快速响应。  这适用于电池供电应用，因此降低RDS_ON非常重要。   为了澄清，客户不能通过BFET引脚而不是使用内部FET将两个FET驱动回至后？

    谢谢！

    Chuchen

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    TI__Guru**** 1788110 points
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    您好，Chuchen，

    理论上，应该可以通过BFET引脚将外部驱动器向后。 我需要检查确认。 但请记住，使用此方法可以绕过所有保护，例如浪涌电流，过载，短路，欠压保护。 在这种情况下，我不清楚这种意图。
    您能告诉我目标Ron推荐替代解决方案吗？

    此致，
    Rakesh
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    TI__Guru**** 1788110 points
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    您好，Rakesh，

    客户反馈说，他们已确认 使用TPS2.5927万没有问题。  相反方向，它们不会阻止使用零件。  反向电流流动时，TPS2.5927万将打开。  预期没有压降接近二极管电压。  感谢您的支持。  我将关闭该线程。

    谢谢！

    Chuchen