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[参考译文] CSD1.8502万Q5B：用于计算最大耗散的热特性

admin
Guru**** 669750 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/579052/csd18502q5b-thermal-characteristics-for-calculation-of-max-dissipation

部件号：CSD1.8502万Q5B
主题中讨论的其他部件：CSD1.8509万Q5B，CSD1.851万Q5B ， CSD1.8512万Q5B

尊敬的各位：

我的一位客户在 网桥配置中使用4x CSD1.8502万Q5B 和1x csd1.8509万q5b为网桥供电。 MOSFET用于驱动电动机。 为了计算最大耗散，他需要更多有关MOSFET热参数的详细信息。 简单地说，电机 将仅打开几百毫秒，在这段时间内，PWM的封装主要是 一个脉冲。  是否有任何工具/型号/计算器来 计算功耗？

谢谢！

Domenico  

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    Domenico，
    目前没有用于计算电机控制损耗的工具，但是对于有问题的脉冲，您只需进行i^2*R计算，即可确定脉冲期间的损耗。

    有问题的脉冲的峰值电流和持续时间是多少？
  • 0
    TI__Guru**** 669750 points
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    Brett，您好！

    电机将开启350毫秒，桥接器FET的切换频率为20千赫，因此脉冲将持续7000个周期。 最大效率时的电流为18A，而失速电流为125A，工作电流可高达50A。

    此致，

    Domenico

  • 0
    TI__Guru**** 669750 points
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    Domenico，
    在20kHz频率下，切换损耗不容忽视，通常它们会占总损耗的三分之一。 如果任何FET暴露在高达125A的峰值电流下达几百毫秒，您的传导损耗将会达到很高的水平。

    对于QFN来说，即使是50A RMS也会过大电流。 采用CSD1.8502万Q5B，典型电阻为1.8W。 假设交叉点加热到100度，因此根据图8，我们预计典型的电阻为1.8 * 1.4 =~2.5mOhm。 现在，我们的Pcond = 50*50*2.5E-3或6W，对于PQFN来说太多了。 这甚至不是对125A峰值电流脉冲的研究。

    您所驾驶的电流水平听起来需要并联多个低电阻FET，或使用TO-220/散热片组合。 除非我对应用和通过FET的RMS电流有一些误解。
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    TI__Guru**** 669750 points
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    Brett，您好！
    感谢您的计算。 我最初为客户提出的建议是使用2个并联MOSFET (桥接器总共8个)和2个并联MOSFET来启用桥接器。
    我将再次推动这个解决方案。

    此致，
    Domenico
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    TI__Guru**** 669750 points
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    Domenico，
    我还要指出的是，这两种设备都有更新的"替换设备"。 CSD1.8509万Q5B具有更好的低电阻器件，CSD1.851万Q5B (典型0.79mOhm RDSon)将于本周投入批量投产，基本上价格相同。

    CSD1.8502万Q5B最近发布了CSD1.8512万Q5B -电阻更好，成本效益稍高，因此使用这些建议的器件也应该是双赢的结果，它可以减少传导损耗，运行温度更低。
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    TI__Guru**** 669750 points
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    Brett，您好！

    好提示。 因为客户对价格比较敏感，而且这些装饰以同样的价格有更好的性能，这对我们来说是一个好的方面。
    此致，
    Domenico