在“线程: LM1.0011万, INA226”中讨论的其它部件
尊敬的TI团队:
我们在 设计中使用TPS543C20RVFT (80A双相堆叠配置) IC。 它用于为我们的主要SoC芯片组提供0.8V内核电源。 在PI瞬态模拟期间,我们发现芯片组在1ns - 10ns的持续时间内可能产生130-140A的高电流瞬变。
1.在这种情况下,IC是否能够处理这种高瞬变?
2. IC可处理的最大瞬态是多少(2相堆叠配置)? 根据我们之前的讨论,有人告诉我们,120A可以通过堆叠式2相配置(每个60A)来处理。 在这种情况下,IC可承受的最大脉冲宽度/瞬态时间为120A。
3.如果 TPS543C20RVFT IC 无法处理如此高的瞬态电流,那么如果负载引入此类高瞬态电流,IC将会发生什么情况。 它是否会进入过电流保护状态并清空或IC将变为坏状态。
4.电路板上应提供多少最小去耦电容以处理VRM中的高浪涌电流。 请提供您对相同内容的输入。
此致,
Vyshnav Krishnan