[参考译文] TPS5.1124万：了解死机时间

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

部件号：TPS5.1124万

您好，

我们必须使用TPS5.1124万更改现有设计中的顶部FET。

当使用数据表中给出的最小死时间(10ns / 30ns)检查切换时，由于顶部FET的关闭时间过长，新的顶部FET可能会出现直通。

对于我的问题：数据表提供了死时间，最小/典型/最大值的信息。这些是固定值吗？

换言之，设备中是否实施了固定的死时间，或者是否使用了自适应/交叉耦合技术来防止射通，因此使用新FET不会有问题？

提前感谢！

Oliver

0 admin 2 年多前

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Oliver

是的，TPS5.1124万实现了自适应栅极驱动停机时间控制。这显示在功能方框图的数据表中(第7.2 节)

在从高压侧关闭到低压侧打开的转换过程中，高压侧门驱动电路监控LL至HDRV电压，并禁止LDRV上拉直至HDRV至LL电压降至1V以下。一旦检测到高侧门驱动电压(HDRV - LL)低于1V，比较器输出电平必须切换至低侧FET。

为了最大限度地提高这种死时控制的有效性，必须将HDRV和LDRV栅极驱动信号的外部串联电阻降至最低。这些电阻使HDRV感应电压下降速度快于实际MOSFET栅电压。

但是，您看到HDRV上潜在的死时控制违规下降到LDRV上升的情况并不常见，在这种情况下，低侧FET的打开速度通常比高侧FET的关闭速度慢。但自适应停用时间控制电路可确保部分高侧FET关闭时间在低侧FET开始开启之前发生。

0 admin 2 年多前

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尊敬的Peter James：

非常感谢对停机时间控制功能的解释！

还有一件事对我来说还不是很清楚。在数据表中：

- DRVHx-low (DRVHx = 1 V)至DRVLx-on = 20ns (典型值)的死机时间

-死机时间DRVLx-low (DRVLx = 1 V)至DRVHx-on = 40ns (典型值)

第一个是从高侧关闭到低侧打开转换，对吗？这里，此死时间比第二个死时间(从低侧关闭到高侧打开)小，而第一个应该比您提到的第二个大。还是以其他方式理解数据表中的文本？

0 admin 2 年多前

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Oliver，您好！

Peter将在下星期一检查您的问题。明天是公众假期。感谢您的理解。

0 admin 2 年多前

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Oliver

否，您回答正确。我把它们弄混了。我对此表示歉意。我将更正上述文本。

两个驱动器都受到电平转换延迟的影响，但是LDRV下降到HDRV上升延迟时间更长。这是我读这两个值时的错误。

0 admin 2 年多前

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尊敬的Peter James：

感谢您的澄清！

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