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部件号:CSD1.8541万F5 大家好,
我的客户设计了此设备,他们想了解电气参数,请参见下图。
您是否可以建议以下红色圆圈参数值?
在数据表中,我看到rg=1.2k~1.6kohm,这是其中一个答案。
那么,关于zenor二极管(ESD)数据呢?
谢谢
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大家好,
我的客户设计了此设备,他们想了解电气参数,请参见下图。
您是否可以建议以下红色圆圈参数值?
在数据表中,我看到rg=1.2k~1.6kohm,这是其中一个答案。
那么,关于zenor二极管(ESD)数据呢?
谢谢
您好,Paul:
感谢您的咨询。 CSD1.8541万F5包括背对背栅ESD保护结构。 它通过1600V HBM和1000V CDM。 我将在下面提供几个链接,详细介绍TI FET中使用的栅极ESD结构以及它们如何与栅极源电压配合使用。
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include
第二个链接中的图4a显示了此类ESD结构的典型VGS-IG特征。 如果您需要进一步帮助,请随时通过定期电子邮件与我联系。
此致,
约翰·华莱士
TI FET应用