我需要一个闸极驱动器用于前端功率放大器开关应用- 功率MOSFET 通过 配置为高端开关的p通道MOSFET来开关PA的漏极偏差。 我曾考虑使用UCC2.7516万/7，但应用描述仅提及低侧使用。 据我所了解，这似乎不是为什么不能用于高端P通道MOSFET的原因。 实际上，Spice模拟似乎显示，当我将设备设置为反相模式时，它可以工作。
我错过了什么吗？ UCC2.7516万/7的性能是否会在某种程度上不受欢迎？
您好，Kevin：
感谢您的回复。 这也是一个有用的链接。
你关于UVLO的观点是公平的，虽然我没有这么多，但我认为在这份申请中可能可以接受。 要明确一点，这不适用于调节器设计。 我们使用PMOS来快速打开和关闭前端放大器。
这是Spice模型的快照。 请原谅我使用LTSpice，哈哈。 没有什么可反对TINA或TI PSpice (我 也使用它们)，我只是碰巧已经为这些设计设置了LTSpice。
您好，Ryan：
感谢您的耐心等待！
关于当前设计，我有一些建议。
首先，我强烈建议您不要使用PMOS FET，而是将它们切换到NMOS FET。 几乎所有现代的日间门驾驶员都有UVLO保护，这将导致上述问题，在UVLO事件期间PMOS始终处于打开状态。
切换至NMOS FET，必须将耗散 电阻器R5和R3移至开关上方。 如果您在NMOS开关下方保持较大的电阻，则可能会出现压降，从而降低栅极至源电压(Vgs)。 假设我们有一个FET，接通电压为10V。 如果您应用10V来打开FET，并且该电阻器上有5V压降，则您的Vgs将为5V，这不足以完全打开FET。
当并联两个开关时，您应该为每个FET实施一个栅极电阻器。 为每个MOSFET提供其自己的栅极电阻器，而不是为所有并联MOSEFT提供一个栅极电阻，从而最大程度地降低单个MOSFET将噪声耦合到彼此栅极的能力。
以下是使用UCC2.7614万和两个并联MOSFET的示例。 
基于另一个螺纹，UCC2.7614万将是您在驱动强度方面的最佳选择，因为您将与这两个NMOS FET并联，它们将使栅极驱动负载电容翻倍。 目前，您可以将UCC2.7322万 SPICE模型用作模拟工具。 只需注意UCC2.7322万可吸入和源9A/9A，UCC2.7614万可吸入和源10A/10A。
如果您还有其他问题或希望进一步解释，请告诉我。 我很乐意帮助您进一步了解这款或任何其他TI低侧/GAN栅极驱动器！
谢谢！
Kevin
