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[参考译文] LM5170：LM5170 MOSFET过冲波

admin
Guru**** 2434470 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5170

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1099376/lm5170-lm5170-mosfet-overshot-wave

部件号：LM5170

LM5170

 尊敬的TI专家

 我采用LM5170芯片 做DCDC充电芯片，现在发现模MOS管的G极输出波形有过冲5V和下冲15v，SW端也有 高达20v打捞器， 如图片箭头所示，这是什么原因引起的啊？过冲引起地平面跳动，不能控制。有什么建议或者电路图哪里不对吗？还是PCB布线引起的？我们是参考这开发板的电路图设计的。非常期待您的回答！ø m

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    TI__Guru**** 2434470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，文武

    感谢您选择 LM5170。

    对于SW过冲，能否告诉我您如何探测SW-GND？ 我们建议使用尾线方法获得准确的测量值。 请参考下图。

    对于栅极过冲，请查看您是否可以通过  良好的接地层或开氏连接将栅极和源迹线配对来改进PCB布局。 EVM布局是一个很好的参考。 您也可以尝试使用 当前布局增加门电阻器。

    谢谢！

    银松

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    TI__Guru**** 2434470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Yinsong

     我们使用引线来测试过冲，但仍 具有5V峰值和 -10V下冲。同时为栅极电阻增加了9ohm。

    如果 有其他 建议用于下冲？ ...为  浇口添加一个气泡圈？  

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    TI__Guru**** 2434470 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好，文武

    是的，他们可以尝试缓冲器和更高的启动电阻器，看看是否有帮助。

    谢谢！

    银松