[参考译文] CSD1.7313万Q2：VGS (TH)规格：5V驱动优化？

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部件号：CSD1.7313万Q2
主题中讨论的其他部件： CSD1.7318万Q2

团队，

您能为以下问题提供帮助吗？

我有一个关于CSD1.7313万Q2 MOSFET的问题(参见数据表SLPS260E第3页)。
根据VGS (TH)上的信息，3.0V已足够。
但在功能中，它表示该部件是"5V驱动优化"的。
问题：
-"5V驱动优化"的确切含义是什么？如果以3.0 －3.3V驱动，会有什么区别？
此MOSFET是否可以在3.0 －3.3V电平下驱动，而不会出现任何问题？
如果没有，在同一个住房中是否有其他办法可以做到这一点？

提前感谢！

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1737970 points

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您好AnBer：

感谢您的咨询。 MOSFET阈值电压VGS (th)在数据表中以VGS的值指定(并测试)，其中ID = 250μA。 CSD1.7318万Q2的电阻经过指定，测试和保证，VGS = 3V，4.5V和8V。只要您提供VGS≥3V且VGS < 10V，FET就会打开并符合数据表中的ON电阻规格。数据表显示已针对5V栅极驱动进行优化-这是您应获得最佳性能的最佳位置。您可以将其驱动到低到3V，接通电阻更高。此外，此器件的ABS最大VGS额定值为+10V/-8V，与12V栅极驱动器不兼容。我们的某些FET的额定电压仅为VGS = 4.5V或6V，但其ABS的最大电压额定值为+/-20V，并且与12V栅极驱动兼容。希望这有所帮助。如果您有任何疑问，请告诉我。

此致，

约翰·华莱士

TI FET应用

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