尊敬的团队:
输出电流约为15A、因此我想将过流检测阈值设置为20A 或更高。
我是否应该按照数据表中的说明在 RDS (ON)= 1.6至1.7mΩ Ω 的情况下计算阈值?
数据表显示、在25°C 时、内部 MOSFET 的导通电阻为2.2mΩ Ω(典型值)
施加此电压将导致较低的过流阈值、如果内部 MOSFET 变热、则会在更低的电流下检测到过流。
我担心在低于预期的输出电流下检测到过流。
此致、
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尊敬的团队:
输出电流约为15A、因此我想将过流检测阈值设置为20A 或更高。
我是否应该按照数据表中的说明在 RDS (ON)= 1.6至1.7mΩ Ω 的情况下计算阈值?
数据表显示、在25°C 时、内部 MOSFET 的导通电阻为2.2mΩ Ω(典型值)
施加此电压将导致较低的过流阈值、如果内部 MOSFET 变热、则会在更低的电流下检测到过流。
我担心在低于预期的输出电流下检测到过流。
此致、
您好、根据以下内容、RDS (ON)似乎在1.5 m Ω 至2.65 m Ω 范围内变化。
e2e.ti.com/.../tps53353-rds-on-min-max-of-low-side-fet
由于 FET 的导通电阻变化很大、我们是否应该假设过流检测的阈值也有很大变化?
此致、