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[参考译文] TPS53353:过流阈值

Guru**** 2380270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124065/tps53353-overcurrent-threshold

器件型号:TPS53353

尊敬的团队:

输出电流约为15A、因此我想将过流检测阈值设置为20A 或更高。
我是否应该按照数据表中的说明在 RDS (ON)= 1.6至1.7mΩ Ω 的情况下计算阈值?

数据表显示、在25°C 时、内部 MOSFET 的导通电阻为2.2mΩ Ω(典型值)

施加此电压将导致较低的过流阈值、如果内部 MOSFET 变热、则会在更低的电流下检测到过流。

我担心在低于预期的输出电流下检测到过流。

此致、

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    您好、根据以下内容、RDS (ON)似乎在1.5 m Ω 至2.65 m Ω 范围内变化。

    e2e.ti.com/.../tps53353-rds-on-min-max-of-low-side-fet

    由于 FET 的导通电阻变化很大、我们是否应该假设过流检测的阈值也有很大变化?

    此致、

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    您好!

    VTRIP 的 ºC 斜率为4700ppm/μ s、可补偿 RDS (on)的温度依赖性。  

    正如您所说的、选择2.2mΩ Ω 肯定会导致较低的 OCP 阈值、并且您希望确保其高于输出电流(15A)、以防止 OCP 误跳闸。

    您可以使用1.6mΩ 来计算最大电流、以找到具有适当额定电流的电感器。

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    您好!

    感谢您的回答。

    您是否同意以下认可?

    ・由于 VTRIP 对其进行了校正、因此用户不必担心 FET 的温度特性。

    ・简而言之、公式中无需为 RDS (on)输入1.5至2.65m Ω、因此输入1.6 m Ω。

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    我同意你的发言。