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[参考译文] LM3150:LM3150芯片温度随输出电压升高而升高太多

Guru**** 676280 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3150, CSD18563Q5A, LM25145
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123797/lm3150-lm3150-chip-temperature-increase-too-much-with-output-voltage-increase

器件型号:LM3150
主题中讨论的其他器件: CSD18563Q5ALM25145

您好!

我是 LM3150、到目前为止还不错。 但我对芯片温度有一个好奇心。

测试设置为:24V 输入、摆幅负载、输出电压不同。

问题是、为什么芯片温度在超过10V 且无负载的情况下如此高?  而芯片温度会增加太多?

此致、

肯特

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    肯特、您好!

    IC 耗散为静态电流(3.5mA)加上栅极驱动电流(每个 FET 为 Qg*Fsw)。 总电流乘以 Vin (24V)是功率耗散。  

    以下是一些建议:

    1. 这里不需要100V FET、这是一个容性相当高的 FET。 试用 CSD18563Q5A、这是一款采用同一封装的出色通用 FET。 Vgs = 6V 时的 QG 仅为10nC (而 CSD19531为23nC)。 您也可以将此 FET 用于高侧。
    2. 为了优化热性能、请检查 IC (DAP (散热焊盘)是否通过 PCB 接地层的多个过孔进行连接。
    3. 当纹波电流达到最大 A Vout = Vin/2时、检查电感纹波电流和相关磁芯损耗。 空载时可能会出现高磁芯损耗、从而提高电路板的整体温度。

    PS:LM25145现在是我们首选的42V 控制器、与 LM3150相比、可提供更好的性能和更低的成本。

    此致、

    Tim