主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、 BQ27Z561
尊敬的专家:
什么是 PF 条件?
BQ27Z561R1将监控电压并禁用闪存写入? 哪个电压电平将触发这种情况?
谢谢
在 ControlStatus() CheckSumValid (位9)中:校验和有效
1 =使能闪存写入。
0 =由于低电压或 PF 条件、闪存写入被禁用。
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尊敬的专家:
什么是 PF 条件?
BQ27Z561R1将监控电压并禁用闪存写入? 哪个电压电平将触发这种情况?
谢谢
在 ControlStatus() CheckSumValid (位9)中:校验和有效
1 =使能闪存写入。
0 =由于低电压或 PF 条件、闪存写入被禁用。
杰克逊
我今天将向您发送日志。
我们可以禁用此 CheckSumValid 进行测试吗?
0x00 / 0x01 ManufacturerAccess() / ControlStatus 寄存器是否可写?
我们发现、即使我们无法写入 bqstudio 数据存储器、但仍可以重新编程整个 srec 文件。 这是预料之中的吗? 在 srec 重新编程后 、CheckSumValid 仍然为0、 无法写入数据存储器 stil。
闪存使用1.8V 的内部 LDO 进行编程、还是使用一些内部高电压?
谢谢
杰克逊
这种 BQ27Z561R1共有3个。 其中一种现象在"软复位"之后消失(CheckSumValid 返回1、并且可以写入数据存储器)。 但大约40分钟后、问题再次出现。 下面是40分钟内的日志 。GG 文件也随附。
其他两种 BQ27Z561R1现象是永久性的。 只能通过在 TI EVM 中重新编程 srec 文件来恢复它们。
谢谢
e2e.ti.com/.../2_23002D002D00_fcc_2D00_yichang_2D002D00_1711.log
e2e.ti.com/.../reg_2D00_log_2D002D00_2_23002D002D00_fcc_2D00_yichang_2D002D00_1713.gg.csv
您好、Ryan、
让我在这里总结一些信息。
无法直接写入数据闪存。 尝试这样做可能是导致此错误的原因。 直接在 BQStudio 中更改值时、有一个将值写入物理参数地址的底层序列。 写入更改数据闪存值的过程可在 BQ27Z561 TRM 的第13.2.48节中看到。 为了解决客户的问题、可以在现场写入闪存、但并不像读取数据块那样以相同的方式完成闪存。
就 PF 问题而言、如果电池电压降至2.3V、这可能会触发 PF、从而完全锁定器件写入或充电/放电。 仅当启用 PFS 时才会发生这种情况。
谢谢、我期待在明天的电话会议上与您讨论、
杰克逊
您好、Ryan、
我今天咨询了我的团队、并对这些问题做了一些澄清。
该 10欧姆电阻器的用途是限制流入电容器的浪涌电流。 该电容器是 BAT 引脚上的一项设计要求、器件可可靠运行、而10 Ω 电阻器可防止 BAT 引脚上由最初连接电池时的一些寄生电感引起的任何大的欠阻尼电压过冲。 这也是 BAT_SNS 引脚的原因。 为了确保测量准确且忽略 BAT 上10欧姆电阻器上的压降、电池直接连接到 BAT_SNS 引脚。
2、LDO 在1.7V 之前可以工作、因此将"有效更新电压"的值设置为1.7V 时应足够低、不会触发校验和有效位、同时也足够高、以便芯片仍然工作。
3、只要放电时间足够长、AVG_I_LAST_RUN 就会更新、以跨越阻抗的网格点更新。 为了澄清这一点、14 Ra 表值都根据预定义的 DOD 网格点进行更新。 当 DOD 达到特定水平时、监测计将确定该水平的电池阻抗并更新 Ra 表。 一旦发生这种情况、监测计将在退出放电模式时更新 AVG_I_LAST_RUN。 因此、更新的触发器退出放电模式(随时进入静置或 CHG 模式)、而选通条件是在放电期间越过了网格点并且更新了 Ra 表值。
希望这一切都能清除
此致、
杰克逊