• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 1 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 81 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD17559Q5：MOSFET 替代产品

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17559Q5, CSD17575Q3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1122987/csd17559q5-mosfet-replacement

器件型号：CSD17559Q5
主题中讨论的其他器件： CSD17575Q3
请推荐一个可以替代 ON-FDMC8010的 MOSFET、RDS (on)要求小于1.2mR、 
并且需要相同的封装
  • 0
    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Shawn、您好！

    感谢您的查询。 FDMC8010是采用3.3x3.3mm PQFN 封装的30V、1.3mΩ Ω N 沟道 FET。 我们最接近的交叉点是采用3.3x3.3mm SON 封装的 CSD17575Q3 30V NFET、但电阻更高、VGS = 10V 时最大为2.3mΩ Ω。 在同一封装中、我们没有任何电阻较低的 FET。 CSD17559Q5采用较大的5x6mm SON 封装、不是直接交叉。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用