我正在评估 BQ2026系列 SDQ 存储器 IC、以用作消耗品跟踪和识别器件、但在写入时遇到问题。 我可以执行 skip-ROM 读取存储器功能、所有功能都可以正常工作、但如果我尝试 skip-ROM 存储器写入、在发送第一个字节后、不会返回 CRC16 (所有 F)、器件不会从 RAM 缓冲器写入 PROM 存储器。 从数据表中、我发送0xCC、0x0F、AddrLow、AddrHigh、Databyte 1。 然后、我尝试读取2个字节的 CRC、但不返回任何内容。
有什么想法吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
我正在评估 BQ2026系列 SDQ 存储器 IC、以用作消耗品跟踪和识别器件、但在写入时遇到问题。 我可以执行 skip-ROM 读取存储器功能、所有功能都可以正常工作、但如果我尝试 skip-ROM 存储器写入、在发送第一个字节后、不会返回 CRC16 (所有 F)、器件不会从 RAM 缓冲器写入 PROM 存储器。 从数据表中、我发送0xCC、0x0F、AddrLow、AddrHigh、Databyte 1。 然后、我尝试读取2个字节的 CRC、但不返回任何内容。
有什么想法吗?
您好、Nick、
我首先发送 LSB、使用与发送正在工作的读取存储器相同的发送功能。
下面是一个示波器图像、显示了0xCC、0xF0和地址0x00、0x00、但 BQ2026没有响应。
感谢您的帮助、
Craig。
您好 Craig、
感谢您发送的波形。 只需确认一下、20ms 采样中的时基是400us/div、对吧?
请注意、如果需要写入写入命令、0x0F 的 LSB 将为0b11110000、而不是当前的0b00001111。 这就是问题所在。

在复位和存在脉冲之后、似乎有这个~350、也许 SDQ 上以红色框标出的400us 高电平信号。 是否延迟了发送到器件的写入命令?

此致、
Nick Z