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[参考译文] BQ2026:无法将数据写入 PROM 存储器

Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ2026

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1121839/bq2026-unable-to-write-data-to-prom-memory

器件型号:BQ2026

我正在评估 BQ2026系列 SDQ 存储器 IC、以用作消耗品跟踪和识别器件、但在写入时遇到问题。  我可以执行 skip-ROM 读取存储器功能、所有功能都可以正常工作、但如果我尝试 skip-ROM 存储器写入、在发送第一个字节后、不会返回 CRC16 (所有 F)、器件不会从 RAM 缓冲器写入 PROM 存储器。  从数据表中、我发送0xCC、0x0F、AddrLow、AddrHigh、Databyte 1。  然后、我尝试读取2个字节的 CRC、但不返回任何内容。

有什么想法吗?

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    您好、Craig、  

    欢迎访问 E2E 论坛。

    我需要24小时进行仔细检查并作出响应。  

    只需确认一下、您是否施加了编程电压以启用写入?  

    此致、
    Nick Z

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    Nick、您好、 感谢您能很快回来。  我正在施加编程电压、但从流程图中可以看到、BQ2026应该在我施加当前未发生的情况之前使用 CRC16进行回复。

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    您好 Craig、  

    您的命令序列看起来正确。 是先发出 LSB 命令、还是先发出 MSB 命令?  

    在发出这些命令时、您能否共享 SDA 的示波器波形?

    此致、
    Nick Z

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    您好、Nick、

    我首先发送 LSB、使用与发送正在工作的读取存储器相同的发送功能。   

    下面是一个示波器图像、显示了0xCC、0xF0和地址0x00、0x00、但 BQ2026没有响应。

    感谢您的帮助、

    Craig。

    e2e.ti.com/.../4353.TEK00000.TIF

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    您好 Craig、  

    感谢您发送的波形。  只需确认一下、20ms 采样中的时基是400us/div、对吧?  

    请注意、如果需要写入写入命令、0x0F 的 LSB 将为0b11110000、而不是当前的0b00001111。 这就是问题所在。  

    在复位和存在脉冲之后、似乎有这个~350、也许 SDQ 上以红色框标出的400us 高电平信号。 是否延迟了发送到器件的写入命令?  

    此致、
    Nick Z

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    谢谢 Nick、

    我现在可以看到写入发生了。  目前有几个错误、但我希望自己可以对这些错误进行分类。

    再次感谢您的帮助、

    Craig。