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[参考译文] UCC28782EVM-030：UCC28782设计修复报告

admin
Guru**** 2514205 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28782, UCC28780

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1121695/ucc28782evm-030-ucc28782-design-fixes-report

器件型号：UCC28782EVM-030
主题中讨论的其他器件：UCC28782、 UCC28780

Jaden：

大家还记得、Tan 曾要求我与论坛分享我们如何解决从 UCC28782EVM 到其版本的所有设计/实施问题。

请参见随附的独家优惠！

它为您提供了成功实施 UCC28782设计所需的全部知识！

re2e.ti.com/.../ucc28782fixes_5F00_report.pdf

下一步是测试 USB C PD 应用。

R

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    TI__Guru**** 2514205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Robin：

    感谢分享、很高兴听到您让项目进入下一步。

    我想澄清一点，通过耗尽模式 FET 的启动电流由 Vgs (th)/(Rsws + Rdds)决定，因为在 VDD 达到17.5V 之前，Qdds 和 Qddp 将打开， 耗尽模式 FET 的 VGS 由 Rsws + Rdds 短路。一旦 Rsws+Rdds 上的压降高于 Vgs (th)。FET 将关断。因此它始终在 Vgs (th)附近导通。流经 Rsws+Rdds 的最大电流应为 ~ 2.7V/(52+500)=2.6mA。  

    毫无疑问、较低的 Rdson /大数据包耗尽模式 FET 将带来更高的电流处理能力以及更强的波特二极管反向恢复能力。  

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2514205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jaden：  

    我们很高兴感谢您的帮助！

    不过、如果您不介意、则需要对耗尽的东西进行更多的敲击。 当 SOT-23足够使用时、谁会想添加一个大脂肪 D2PAK 器件？

    因此、有必要真正直接进行数学运算。

    在 t=0时、在发生任何情况之前、分析从控制器启动电路的特定状态开始。  

    当 VDD 充电至1.75V 时、此状态保持稳定。

    在此期间会发生什么情况？

    P13最有可能处于高阻态。

    这将使耗尽型 FET 的 Vgs 保持为0>>>>>A 导通状态。

    这在使用 R、C 值的情况下会持续完整5ms。

    当 t=0+时，应用100V 的 Lapalcian Step (更多信息)。

    对于耗尽型 FET 行为而言、在这短时间内至关重要。

    Lapletian 阶跃响应分析通过 耗尽型 FET 产生的电流击穿远远超过了它的能力。

    如果它能存活下来、那么休息就没有了。 是的、Isws 为2mA 或更低...等。。VDD 充电至17、5v 等。。 。所有的事件都很清楚。

    您是否在 Lapl会 分析中看到了这一点？

    再次使用-thnx。

    -r

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    TI__Guru**** 2514205 points
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    尊敬的 Robin：

    感谢您的反馈。 更好的是、我们可以根据波形对其进行分析、即使我们知道很难捕获电流(Rsws 两端的电压) 发生故障时的波形。 我们确实会看到由糟糕的体二极管反向恢复以及 开关节点 VSW 上的急剧 dv/dt 导致的损坏风险很高。 我们在 UCC28780应用手册中对此进行了介绍。将 Rsws 从120欧姆增加到~510欧姆后。故障率 之后显著下降。

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2514205 points
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    Jaden：
    我们一定会再次尝试-并进行测量。
    但是：我们没有遇到麻烦！
    昨天、SR 突然出现、并联二极管短路。 现在、在替换 SR (EPC2034C)和分流二极管后、我们得到5个窄脉冲。  是因为我们在负载中具有恒定电流模式？ 5个漏极脉冲在它停止工作后大约为130nS。  
    在我看来、必须发生非常高的输出电流浪涌。 但为什么呢？
    与之前所有的反激式控制器不同、这种控制器可提供缓慢的输出电压上升。 还是由小型稳定输出滤波器引起的？
    您是否有任何限制此电流的建议？
    自从该模块工作以来、您已经注意到所有波形看起来都很好、很干净。 因此、我们可以排除故障排除文档中描述的所有系统级故障模式。 遗憾的是、没有任何一个应用于该状态。
    控制器是否有可能损坏？ 因为 VRS 上的电流较高、连接到控制器的 PGND。 然后、根据评估板和布线说明、AGND 被接至一个节点公共电源输入上的 PGND。 PWML 以 AGND 为基准、而 PGND 距离较远、是否可能会触发？
    在拆裂功能部件之前、我们怀疑故障是什么？
    Thnx
    R
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    TI__Guru**** 2514205 points
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    尊敬的 Robin：

    您是否在发生故障时捕获了一些波形，或者是否可以轻松复制？ 我们无法猜测限制信息发生了什么情况。

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2514205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jaden：

    在过去两天进行了一些调查：好消息是、当我们移除故障器件(SR & MP6908)并连接了一个快速二极管用于调试时、该模块恢复正常。

    但是：有些地方存在电弧、从而导致 SR 故障等

    我们将在星期一对此进行更多的研究。

    另一个很好的消息是故障仅在次级侧局部化-不会传播到初级侧。

    这是肯定的进步、在我们发现电弧在哪里之后、我们就会暗示最终关闭。

    将会让您尽快了解。

    Thnx、请您注意。

    R

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    TI__Guru**** 2514205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Robin：

    我一侧的一个问题是 SR GaN FET 的最低 Vgs (th)仅为0.8V。 您是否对驱动器 SR 施加了负电压。如果不施加负电压，SR FET 可能很容易出现由 dv/dt 形状引起的导通故障。  

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    TI__Guru**** 2514205 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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