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[参考译文] CSD17308Q3：请帮助提供比较表

admin
Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3, CSD17578Q5A, CSD17578Q3A, CSD17581Q5A, CSD17576Q5B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1119216/csd17308q3-please-help-provide-comparison-table

器件型号：CSD17308Q3
主题中讨论的其他器件： CSD17578Q5A、 CSD17578Q3A、 CSD17581Q5A、 CSD17576Q5B

你(们)好

我们可以在  CSD17308Q3中添加一个很好的新功能、

并需要您支持以下要求以确保 DWIN、THx

  1. 请使用 CSD17308Q3帮助提供 Rdson VS 漏极电流曲线
  2. 请帮助提供与 BSC0909NS 的比较、并提供应用建议和注意事项。

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Kgo、

    感谢您向客户推广 TI FET。 CSD17308Q3是一个30V、11.8mΩ μ A 的最大电压、VGS = 4.5V FET、采用3.3x3.3mm SON 封装。 绝对最大 VGS =+10V/-8V、导通电阻的额定最小 VGS = 3V。 VGS = 4.5V 时、QG = 3.9nC 的典型值。 这是一款较旧、成本较高的器件。

    BSC0909NS 在 VGS = 4.5V FET 且采用5x6mm TDSON 封装时为34V、11.8mΩ μ A 最大值。 绝对最大 VGS =+/-20V、导通电阻的额定最小 VGS = 4.5V。 VGS = 4.5V 时、QG = 7.2nC 的典型值。

    这些封装与封装尺寸不兼容。 TI 的封装兼容5x6mm SON。 我们推荐的交叉参考是 CSD17578Q5A、30V、VGS = 4.5V 时最大为9.3mΩ μ A。 绝对最大 VGS =+/-20V、导通电阻的额定最小 VGS = 4.5V。 VGS = 4.5V 时、QG = 7.9nC 的典型值。 该 FET 裸片还采用与 CSD17578Q3A 相同的3.3x3.3mm SON 封装

    TI 不在我们的 FET 数据表中提供 RDS (on)与 ID 曲线。 我们仅提供数据表中图2和图3所示的饱和和传输特性。 如果您有任何疑问、请告诉我。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 657500 points
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    John

    感谢您的反馈！

    与客户讨论后，请帮助提供0A~16A 的 ID 时的 RDSon 值是多少？

    客户需要这些信息，否则他们不敢使用  CSD17578Q5A 和 CSD17578Q3A

  • 0
    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Kygo、

    我可以使用产品开发期间针对数据表中的饱和曲线收集的特性数据来创建导通电阻与 ID 的关系图。 计算导通电阻(不是直接测量)、Ron = VDS/ID、可能不是那么精确。 我将通过定期电子邮件将其发送给您。

    谢谢、

    John

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Kygo、

    我通过普通电子邮件向您发送了该图。 我将关闭该线程。 如果您需要其他信息、请告诉我。

    谢谢、

    John

  • 0
    TI__Guru**** 657500 points
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    John

    感谢您的反馈！

    由于客户需要比较表、我已经编译了 CSD17578Q5A 和 BSC0909NS 的比较表！
    您能帮助确认它是否正常吗？ Thx

    请参阅以下比较表

     

    TI

    CSD17578Q5A

     

    BSC0909NS

     

    V_DS

    30

    34

    五

    V_GS (TH)

    1.5

    2.

    五

    V_GS

    ±20

    ±20

    五

    ID

    59.

    44.

    A

    I_DM

    132.

    176.

    A

    TJ

    -55至150

    -55至150

    °C

    问题

    7.9

    7.2.

    常闭

    Qgd

    2.

    1.8

    常闭

    r_dson

    5.9.

    9.2.

    MΩ μ A

    输出电容

    136.

    390

    PF

    CIS

    1170

    1100

    PF

    客户服务中心

    58.

    25

    PF

    e2e.ti.com/.../31GBSC090901-_F696F64E8F893C68F866_.pdf 

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好、Kygo、

    这对我来说很好。

    谢谢、

    John

  • 0
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    John

    更多问题！

    客户希望提高效率、那么  我们是否有 CSD17578Q5A 等解决方案、但 Rdson 大约为3mΩ Ω？

    Thx

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    TI__Guru**** 657500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kygo、

    在本例中、对于3mΩ μ A、我建议使用 CSD17576Q5B、但成本要高得多、QG 大约是 CSD17578Q5A 的3倍、这意味着栅极驱动和开关损耗会更高。 另一种选择是 CSD17581Q5A、就成本和性能而言、它介于这两种器件之间。 这适用于同步降压转换器吗？ 我们在以下链接中提供了基于 Excel 的同步降压 FET 选择工具。 这使得用户能够输入他们的要求、并在功率损耗、每千美元的价格和封装方面比较多达3种不同的 TI FET 解决方案。 我们还为其他应用提供了类似的工具。

    谢谢、

    John

    https://www.ti.com/lit/zip/splr001