[参考译文] LM61460-Q1：有关 LM61460-Q1的问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1116892/lm61460-q1-questions-about-lm61460-q1

器件型号：LM61460-Q1
主题中讨论的其他器件： LM61460

您好、专家、

我对 LM61460-Q1有几个困惑

为什么低侧电流限制比高侧电流限制小得多？我认为它们应该具有相同的峰值电流。
"请注意、为最大负载远小于器件最大可用负载的应用选择纹波电流时、仍必须使用最大器件电流。"为什么我们仍要使用最大电流参数进行设计、但实际上我们不使用最大电流？
请提供有关 RBOOT 函数的更多详细信息吗？谢谢。

BR、

ElecCheng

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2528100 points

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您好、电子

该器件同时采用峰值和谷值电流控制。有关电流限制的更多详细信息、请参阅此应用手册(SNVA736)、具体而言是第3.1节。

高侧电流限值是器件处于限流模式之前的峰值电感器电流。

使用最大电流、以避免使用过大的电感器。

RBOOT 功能用于控制高侧 FET 的栅极驱动和压摆率。通过在该引脚上添加更多电阻、它会减慢 SW 节点的上升时间、这将有助于提高 EMI 性能。

此致、

Jimmy

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2528100 points

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你好、Jimmy、

感谢您的回复。

但我仍然不明白为什么低侧电流限制比高侧电流限制小得多。我假设高侧和低侧具有相同的峰值和谷值电流。

[引用 userid="284548" url="~/support/power-managing-group/power-management/f/power-management-forum/1116892/lm61460-Q1-questions-about lm61460-Q1/4139669#4139669"] RBOOT 函数用于控制栅极驱动和高侧 FET 的转换率[

您能否详细解释一下它如何控制压摆率？谢谢。

BR、

ElecCheng

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2528100 points

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您好、电子

通常情况下、电阻器与 CBOOT 串联、但 LM61460具有专用的 Rboot 引脚。将 Rboot 引脚添加到 LM61460、以控制(减慢)高侧 FET 压摆率。缓慢降低高侧 FET 压摆率可减小 SW 上的过冲环并降低 EMI 噪声。

如果您有兴趣、请参阅此白皮书、其中包含有关"真正压摆率"控制和基准测试的影响(无论是否使用 Rboot)的部分

https://www.ti.com/seclit/ml/slup408/slup408.pdf

此致、

Jimmy

电源管理（参考译文帖）

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