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[参考译文] UCC21750-Q1:有关 CMTI 的问题

Guru**** 2770455 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1114445/ucc21750-q1-question-about-cmti

器件型号:UCC21750-Q1

您好!

以下是一些 CMTI 问题、需要确认:

1 CMTI 是否仅适用于隔离式驱动器?

我认为这对于半桥驱动器也很重要、因为上 MOS 的接地是浮动的、并且常见电压发生变化。但我在他们的数据表中没有找到"CMTI"。  

2如何估算 CMTI?

我知道 CMTI 应该是公共电压/转换时间。公共电压通常是总线电压、但估计转换时间是多少? 我们可以计算为 IGBT/MOS 的上升时间吗?

谢谢、

B&R

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    您好、Yuan、  

    我相信 CMTI 被定义为"在两 个隔离电路之间施加的共模电压上升或下降的最大容许速率"、如本 应用手册所述。 因此、该参数也是为我们的隔离式栅极驱动器定义的。 让我联系我的非隔离式驾驶员团队同事、了解这方面的信息、然后我会与您联系。  

    2.是的、可以通过计算晶体管的总线电压/上升时间来计算共模瞬态电压。  

    谢谢、  

    Vivian

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    您好、Yuan、  

    这正是我的非隔离式驱动器同事所说的-  

    "在很多情况下、存在类似的问题、CMTI 实际上是驱动器输出上相对于输入(控制)和接地的 dV/dt 事件。 非 ISO 驱动器的限制或差异在于、驱动器接地基准、浮动高侧驱动器上的 HS、对相对于接地的负电压能力有明确的限制。"

    希望这能解答您的问题!  

    谢谢、  

    Vivian