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器件型号：BQ34110 主题中讨论的其他器件：BQSTUDIO
您好！
我正在尝试在 DAT 闪存中写入新的闪存更新正常电压值。 我将按照 TRM 执行以下序列：
写入(0x3E、0x57、0x41)
写入(0x40、0A、F1)
写入(0x60、6C)
写入(0x61、0C)
我在 bqstudio 中展示它：
我处于非密封模式、数据闪存更新正常电压<电压()。 我不n´t 我有什么问题。 我认为校验和的计算是正确的。
谢谢你。
