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[参考译文] LM5116:电源管理论坛

Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145, LM5145DESIGN-CALC, LM5141, LM5116
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1114397/lm5116-power-management-forum

器件型号:LM5116
主题中讨论的其他器件:LM5145LM5141

您好 TI

我一直在使用 LM5116MH/NOPB 降压转换器

WEBENCH 设计(来自数据表的值): MOSFET 为"BSC117N08NS5ATMA1"[5V]

 输入电压9V-60V、输出电压5.25V、输出电流10A、 MOSFET 总功率耗散 1.812W、 MOSFET 开关损耗 1.603W、开关频率 395.432kHz、  

根据参考文档"同步降压转换器的功率损耗计算及共源极电感注意事项"中提到的公式以及数据表中的值、我们无法获得准确的损耗。

我们的值为 Vin=60V、Iout=.10A、开关频率=292.8Hz、Qgs2=13nC、Qgd=7nC、IG=100nA、


因此、在计算开关损耗时、我使用了开关损耗公式 、但我得到了预期结果  

  

根据 WEBENCH 设计、建议使用的 MOSFET 为"BSC117N08NS5ATMA1"。 输入电压为9V-60V、Vout=5.25V、Iout=10A 时、5V 时的开关功率损耗为"1.603W "。

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    您好、Bindu、

    查看 LM5145 75V 控制 器及其快速入门计算器 www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC。

    这样、您就可以根据输入的参数查看 MOSFET 功率损耗。 请注意、LM5145 EVM 设置为5V/20A/225kHz、采用80V FET (高侧 FET 与上文所述相同)。 5.25V/10A 不应成为问题。

    此致、

    Tim

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    另一种方法是查看 LM5141 65V 控制器。 请注意、它具有用于外部偏置电源的 VCCX 引脚、因此可接受5.25V 的输出电压(与 LM5145/6和 LM5116不同、LM5116更喜欢>8V)。 这有助于在输入电压较高时降低 IC 功率损耗、因为控制器的 VCC 电流来自 VOUT 而不是 VIN。 但是、LM5141栅极驱动振幅为5V、因此需要 Rdson 额定 Vgs = 4.5V 的逻辑电平 FET。

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    Hai Tim、

    感谢您对我的问题作出回应。 在清楚地参考了 LM5145 75V Excel 表格之后、您提供的公式与我的计算无关、但我根据 LM5116值更改了 Excel 中的值(如下所示)。

    我的 WEBENCH (LM5116)电路的高侧损耗为1.8W、低侧为3.58W  

    通过将 WEBENCH 值放在 LM5145 Excel 表格中、我没有得到预期的损耗、因此我想要求分享 Excel 表格中使用的相应公式。   我已经使用 LM5116设计了我的物理设置、因此我请求您提供一个公式。

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    您好、Bindu、

    LM5145数据表应用部分的表格中提供了适用的公式。

    您可能希望在低侧位置使用稍低的 RDSon FET (基于占空比小于~50%)。

    此致、

    Tim