您好!
这以栅极驱动器 IC 为基准:UCC21750-Q1。 我想澄清以下几点。
上述栅极驱动器最终用于驱动 SiC MOSFET 、在我们的应用中额定电压>1kV、电流约为220A。
- 在短路保护的情况下、有多种可用的方法、例如 D-SAT、分流电阻器和 SENSE-FET。 但是、根据我的知识、为了实现感应 FET 保护、需要在开尔文感应引脚之外单独使用 I SENSE 引脚、对吧? 如果该引脚配置不可用、那么我们能否通过外部方式实现电流感应 FET?
- 我想知道、在上述 SiC MOSFET 规格下、哪种短路保护最合适? 因为 D-SAT 在 IGBT 中更可取。 此外、当前应用的 RMS 电流约为79Arms (仅供您参考)。
- 我已经在 E2E 论坛上讨论了与 UCC21750-Q1相关的主题、这些主题涉及 D-SAT 电路计算以及如何在消隐电容器中添加额外的电荷泵、因为内部电荷泵仅与500uA 相关。 我们将在后续对话中分享更多想法。
- UCC217xx 系列有不同的可用选项、例如用于 SC 保护的 OC 引脚和 DESAT 引脚。 您能否提供一些信息、说明哪一种最适合用于 SiC-MOSFET 的 SC 保护? 以及如何实现?
- 如果我们在栅极驱动中使用了双极电源、例如+18/-4V、那么仍然实施米勒钳位电路是否有利? 如果不是、那么 UCC21750-Q1中有 AMC、那么我们应该将其连接到的栅极引脚上、它应该接地吗?
谢谢、期待您的回答。