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[参考译文] LM5025A:二次侧 FET 击穿

Guru**** 2380450 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5025A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111219/lm5025a-secondairy-side-fets-break-down

器件型号:LM5025A

您好!

我采用 LM5025A 设计、使变压器次级通风侧的 FET 始终击穿、即使它们的额定性能非常高。 我使用 LM5021A 产品页面上的 Exel 表来计算大多数组件。 之后、80V FET 应该足够了、但我甚至使用了150V/31A FET、它们仍然会击穿。 我在设计中使用了 DFN-56。

我还使用了 IRF200B211 (TO-220)、到目前为止、这些是唯一未进行细分的 FET。  

我尚未在信号上测量超过60V 的尖峰、因此我不明白为什么 FET 会持续短路。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1082706/lm5025a-fast-switching-gate-signal-during-overlap/4018134

这是我之前发布的原理图等内容

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    Teun、

    您引用的 E2E 主题自3个月前开始、似乎询问了您在该主题中发布的相同问题。 您是否仍有相同的 SR 问题? 之前讨论的重点是变压器点极性、钳位和 CS 电阻器-所有功率级问题现在是否已解决、您仍有 SR 问题? LM5025A 的高温又如何-这是否得到了纠正? 如果已进行所有/任何更正、则您原始主题中发布的原理图可能不是最新的? 让我对有源钳位和自驱动 SR 的使用做一些一般性的评论。

    您对 SR 故障的观察重点似乎以前与 SR 额定电压有关。 还有其他与此拓扑相关的潜在 SR 故障机制、我想让您知道:

    1. 从初级到次级的 SR 时序。 如果次级 SR 时序未与初级侧同步、则可能存在次级侧在初级侧未导通时导通、或次级侧在初级侧未导通时不导通的情况。 检查时序的一种方法是移除次级 SR MOSFET、并临时将其替换为二极管。 现在没有时序问题、但与初级侧时序相比、您仍然可以测量相应的 SR 栅极驱动器。
    2. SR1 (Q4)和 SR2 (Q2)之间的 SR 时序很重要、因为我们希望有足够的死区时间来避免交叉传导、但不希望有太多的死区时间导致不必要的体二极管情况损耗。
    3. 自驱动栅极驱动振幅。 您的原理图显示了一个自驱动 SR 栅极方案、其中栅极驱动振幅未进行调节。 SR 栅极驱动的振幅根据变压器匝数比与 VIN 成正比。 在整个 VIN 范围内、SR 栅极驱动器的振幅是多少? 您需要验证是否有足够的振幅来完全增强所有设计临界情况下的 SR。 请参阅 《使用有源钳位 UCC2891 PWM 控制器实现高效率设计》中的第4.1.4节。

    此致、

    Steve M

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    我已经解决了原型板上的一些问题、因此原理图确实不是100%正确。

    我认为您对栅极驱动能力很了解。 但我仍在研究它。

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    是的、

    检查 MOSFET 在最坏栅极驱动振幅和温度下的行为。 当 SR 栅极驱动为低电平时、RDS_ON 会增大、这会导致温度升高、从而进一步增大 RDS_ON、这可能会导致热失控故障。 由于您提到了在电路中工作的 SR MOSFET、因此请尝试将 VIN 调整到两个 SR 都接收到最优栅极驱动振幅的位置。 测量此点的温度、然后改变输入电压、同时继续监控 SR 栅极驱动振幅、并在高于/低于先前测量的最佳点位置移动时测量温度变化。

    此致、

    Steve M

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    是否有适用于 LM5025A 的12V 输出参考原理图?

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    Teun、

    我在  TI.com 上只看到两个可用的参考设计、它们都是5V 输出。 随附15V 输出参考设计、TI.com 上未提供此设计、但我们为特定客户提供了此设计。 这是我可以找到的最接近12V 输出的电压。 但愿这对您有所帮助。

    e2e.ti.com/.../PMP4473-Schematic.pdf

    e2e.ti.com/.../PMP4473-BOM.xlsx

    此致、

    Steve