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器件型号：BQ40Z80 主题中讨论的其他器件： BQ76952、 BQ40Z50
您好、 ，的专家
我想知道 BQ40Z80可以驱动多少个 MOS？ 也就是说、如何计算 IC 的驱动能力？ 例如、与 BQ40Z80、BQ40Z50或 BQ76952类似、我在 IC 使用规格中找不到此使用参数、您能告诉我可以在哪里查看它吗？ 谢谢。
补充上升和下降时间参数。
尊敬的 Alex：
1.“如果 CHG/DSG 引脚和 FET 栅极之间的走线具有很大的阻抗，则可能会以相当大的裕度缩短上升/下降时间。 "这句话的意思是什么？我了解的是，在布局过程中，CHG/DSG 引脚和 FET 栅极 G 引脚的走线应尽可能短、宽和差分，对吧？ 或其他有关布局和布线的建议？
所附图像是否是由布局不良导致的？ 当我测试电池的硬件过流或短路过流时、P+P-输出在关断过程中振荡、波形看起来异常。
我对驱动并联 FET 有点困惑、因此如果您有文档或布局建议、我将不胜感激。
真诚地期待您的回答。
您好 Alex，
我在测试硬件过流时测量了 FET 的栅极-源极电压(Vgate 到 Vsource)、波形看起来像是在振荡、这是不正常的、VGS 电压过高、您有什么建议或想法吗？ 原因是什么？ 
张您好、
那么、您在这里使用的是差分探头吗？ 我大致重新创建了您的设置、以解释我的意思：
这是我使用数学函数代替差分探针来关闭 DSG FET 的捕获结果。 因此、振荡肯定是奇怪的。 我也觉得奇怪的是、VGS 在突然关闭之前会增加。 您能否确认您获取 Vgs 布线的确切程度？ 是否尽可能包含原理图？
此外、您如何生成触发保护的负载？ 您是否使用恒流负载来实现该目的？ 我的唯一想法是、当 FET 开始进入欧姆区域并且仍在尝试消耗相同的电流时、恒流负载可能会导致问题。 您是否可以使用电阻器进行测试以模拟电流？ 或者、您能否在没有负载的情况下获得一个捕获以查看您是否仍然看到振荡？
除了负载之外、我唯一能想到的另一件事是电荷泵。 IC 使用内部电荷泵生成高侧偏置、如果栅极电荷过高、则电荷泵电压可能会崩溃。 我以前见过这个问题、但据我所知、它没有产生这样的结果。 检查的一种方法是测量 PBI 引脚以查看其是否稳定。
好消息是、如果问题与电荷泵/PBI 电压有关、您可以通过增大 PBI 电容来解决它。
谢谢、
Alex M.
尊敬的 Alex：
我正在使用差分探头来捕获放电 FET 的 VGS 电压、我还发现 VGS 在 OCD1和 OCD2处正常放电、但在 ALOD 和 ASCD 处向上振荡很奇怪。 附件中显示了部分原理图。
我正在使用恒流负载来测试是否存在过流短路、这是问题的原因吗？ 因为从理论上讲、电池过流短路是大电流放电的过程。 使用电阻器会产生什么影响？
同时、我将测量 PBI 引脚是否正常。 或解决可能导致此问题的其他问题。
谢谢。
