[参考译文] LMG3525R030-Q1：您在哪种电路中推荐不带二极管枚举模式的 GaN 驱动器？

admin

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器件型号：LMG3525R030-Q1
主题中讨论的其他器件：LMG3522R030

大家好、

在哪种情况下、您建议使用不具有理想二极管模式的 GaN 驱动器？您是否有包含特定电路拓扑的示例参考设计？ (二极管枚举建议的电路类型是明确的、但对于没有二极管枚举的情况、不是明确的建议电路...)

此致、
Ochi

0 admin 1 年多前

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您好 Ochi、

无论怎样、我们建议您首先查看我们的非理想二极管模式器件。 IDM 在运行时需要仔细考虑一些注意事项、因此我们建议在考虑 LMG3525之前先使用 LMG3522进行设计。我们没有使用 LMG3525的参考设计、但很快将发布一些使用 lmg3522r030的参考设计。

谢谢、

不是

0 admin 1 年多前

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Noah、您好！

谢谢你。但是、我无法理解为什么"我们建议您首先查看我们的非理想二极管模式器件"。如果某些应用需要 IDM、我建议首先使用 IDM 模式、而不是非 IDM 模式器件。因为我不知道哪些电路或应用会使 IDM 模式设备比非 IDM 模式设备更糟糕。

这就是为什么我问您"在哪种情况下、您推荐不采用理想二极管模式的 GaN 驱动器？您是否有包含特定电路拓扑的示例参考设计？"

此致、
Ochi

0 admin 1 年多前

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您好 Ochi、

我想澄清的是、这是一个具有集成驱动器和保护功能的 GaN FET。由于 IDM 功能、没有启用拓扑、因此我们建议使用非 IDM 器件、除非需要稍短的死区时间。通常建议在软开关拓扑中使用、并将略微缩短死区时间。我们没有使用此器件的任何参考设计、也不打算使用 IDM 发布任何参考设计。

谢谢、

不是

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