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[参考译文] BQ25798:问题

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25798

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1107218/bq25798-questions

器件型号:BQ25798

尊敬的团队:

我们的客户在使用 BQ25798 (VBUS 输入使用 PV 面板)时遇到了一些问题、
问题描述如下:
BQ25798一些寄存器将在大约10小时后发生变化、
这将导致 BQ25798无法为电池充电、
日志如下所示、如果您需要完整的日志、请告知我们。

问题如下:
1、为什么寄存器会自动更改?
2.将 BQ25798与 PV 面板配合使用时、应注意哪些设置?

谢谢!

Jimmy

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Jimmy、

    下面是我的解释。

    REG0x1B:0x00-0x02 - VAC1不存在

    REG0x1C:0x00-0x10 -非合格适配器不存在输入(D+/D-完成)

    REG0x1B:0x02-0x07 - VAC2和 VBUS 不存在

    REG0x15:0xAA-0xab - MPPT 未被使能(主机必须写入此值、因为当 V (BAT)<MINSYS 并且在强制 VINDPM 或 ICO 期间、充电器只能将 EN MPPT 从1->0更改为1)

    REG0x0F:0xa2->0xa6 - IC 进入 HiZ 模式(不应在没有故障(通常与过流相关)的情况下进入 HiZ 模式)

    REG0x1B:0x07->0x17 -糟糕的源状态= 1保持(大概持续7分钟、直到糟糕的源被重新测试、但如果在 HiZ、不会发生)

    REG0x05:0x24->0x27 - 3.6V 至3.9V 的 VINDPM (主机是否写入了这个)?

    要重试、主机需要写入 HiZ 位以使充电器退出 HiZ 模式。

    我们是否将其余状态和故障寄存器向下拉至 REG0x27进行检查?  ADC 打开了吗?  如果是、我可以进行这些测量吗?

    此致、

    Jeff  

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    尊敬的 Jeff:

    我们非常感谢您的大力支持!

    问:REG0x05:0x24->0x27 - VINDPM 从3.6V 到3.9V (主机是否写入了这个)?

    答:主机未配置 reg0x05,只在内核初始化阶段配置以下充电器 IC reg,每10秒配置0x15/0x2e。

     

     

    问:要重试、主机需要写入 HiZ 位以使充电器退出 HiZ 模式。

    答: 如果 EN_HIZ 变为1,您是否意味着主机必须监测 REG0x0F 并设置 EN_HIZ=0?  

     

    问:我们是否将剩余状态和故障寄存器向下拉至 REG0x27进行检查? ADC 打开了吗? 如果是、我可以进行这些测量吗?
    答:是的,ADC 已打开。 随附的 Excel 文件是我们每10秒收集一次的寄存器、但它不包含 REG0x27。 请帮助查看 Excel 文件、我们将来是否可以转储任何其他有用的寄存器?

    e2e.ti.com/.../0601_2D00_1.zip

    非常感谢、

    Jimmy

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    你好、Jimmy、

    关于 VINDPM 更改、连接新电源或启用 MPPT 导致了 VINDPM 更改。

    关于 HiZ、是的、但我需要知道为什么会出现 HiZ。  我不期待这件事。

    关于 zip 文件、我需要一些时间来查看它。  我想尝试在 EVM 上重新创建。  我将在本周结束前再次与您进行回复。

    此致、

    Jeff

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    你好、Jimmy、

    我能够重复您的客户看到的内容。  我观察到以下情况: 在 IINDPM 大于900mA 且输入源电流能力小于300mA 的情况下、如果通过 I2C 写入或 MPPT 将 VINDPM 设置为<=3.7V、则充电器立即进入 HiZ。  我已发送到设计以获取说明、因为这可能是一些保护功能或只是一个错误。  无论如何、如果发生 HiZ、主机必须写入该位以将其清零。  我建议将 IINDPM 设置为低于900mA、然后重复测试。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您的大力支持!

    我们正在等待 设计站点的反馈。 非常感谢!

    Jimmy

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    好的。  好的、请在我收到回复后立即更新。

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    你好、Jimmy、

    您能否确认您拥有最终生产的 BQ25798 IC、而不是我们提供的 APL 样片?  最终样本顶部是 BQ25798而不是 PQ2579X。  或者、您可以读取 REG0x41、并且应该看到如下:

     

    寄存器0x48 <5:3>(PART_NUMBER)

    寄存器0x48 <2:0>(DEV_REV)

    BQ25798

    011b

    001b

    APL 器件的不良源极表现为您发送给我的 IC、而不良源极会导致 HiZ 模式、需要用户交互才能退出。  产品材料在来源较差的情况下进入 HiZ、然后每10分钟重试一次。

    另外、有两个项目让我对您的寄存器转储感到困惑。  首先、存在 VAC1、而不存在 VAC2。  则 VAC2存在。  这里发生什么事了?  其次,当充电器处于 HiZ 状态时,我看到 IBUS ADC 的电流大于10mA。  不确定这是怎么可能的。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    请告诉我您对以下操作的建议是否有任何误解。

    1. 添加 REG0x27日志以进行调试
    2. 如果  EN_HIZ 变为1、则监控 REG0x0F 并设置 EN_HIZ = 0
    3.   如果 REG31_IBUS_ADC < 300mA、则将 REG06_INPINPON_CURRENT_LIMIT (IINDPM)设置为< 900mA

     

    感谢您的建议、请告知我们 HiZ 变化中是否存在任何发现(保护功能或错误)。

     

    谢谢你。

    Jimmy

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    Jimmy、

    首先、让我们确认您拥有最终生产 IC、因为您遇到的 APL IC 问题。  APL IC 没有较差的源修复功能、可重试较差的源检测并在10分钟后自动重置 HiZ。   

    我同意上文项目1和2。 项目3将取决于太阳能电池板输出功率能力、因此问题可能会得到解决、也可能得不到解决。

    此致、

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    测试板的芯片为 PQ2579X。  BQ25798生产 IC   在不良电源方面有何不同行为?

    i2cdtransfer -f -y 0 W1@0x6b 0x48 R1
    0x18

    您能帮助您如下面所示仔细检查原理图吗?

    谢谢!

    Jimmy

     

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    你好、Jimmy、

    我在原理图上没有看到任何明显的错误。

    您拥有的 IC 是预制 APL。  尝试七次后、这些 IC 的源力高阻抗较差。  主机必须写入 HiZ 位=0才能重新启动尝试。  最终生产 BQ25798进入 HiZ、但10分钟后退出并重试。

    此致、

    Jeff