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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1126260/ucc27519-ucc27519dbvr
尊敬的 TI 专家： 以下是我们新产品上的电路、请帮助查看设计是否存在任何问题、谢谢！
您好 Rogers、
感谢您与 E2E 联系！
请参阅以下反馈：
IN：输入看起来正常。 如果您的输入波形上有很多噪声、请考虑添加一个 TC 不大于20ns 的 RC 滤波器。
EN：我注意到所提供的原理图上的标签是 NC、但我假设它是使能的。 如原理图所示、如果您希望始终启用器件、请保持器件上拉至 VDD。
VDD： μF VDD 旁路电容器、应在尽可能靠近栅极驱动器的 VDD 引脚的位置放置一个0.1 μ F 陶瓷电容器。 μF、ESR 相对较低的较大电容器(例如1 μ F)应并联并靠近。
GND：看起来正常。
输出： 我假设您在输出端并联 FET。 如果是这种情况、请注意、随着 FET 数量的增加、栅极电容会增加、从而导致 FET 的导通和关断时间增加。
我还将附上 UCC27518/9器件的原理图审阅模板以供进一步补充。
e2e.ti.com/.../UCC27518_5F00_9-Schematic-Review-Template-_2800_1_2900_.xlsx
我希望这对您有所帮助！
谢谢、
Kevin
