This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5141:为什么将 MOSFET 用于高侧和低侧、使用不同的器件和不同的功率?

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5141
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1126981/lm5141-why-the-mosfet-used-for-high-side-and-low-side-using-different-part-with-different-power

器件型号:LM5141

我看到 一些同步降压控制器的参考设计、如 LM5141、它在高侧和低侧使用不同的 MOSFET。 我想知道该设计的设计原理。

下面是 LM5141和低侧 MOSFET 设计的快照、其中使用的功率器件比高侧器件大。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Sam  

    我认为此培训 https://training.ti.com/node/1138903 可帮助您了解如何选择 MOSFET。 请特别参阅第3部分  

    -李家祥

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Eric:

    感谢您的快速响应。 但我仍然无法理解低侧 MOSFET 为什么会消耗更多功率。 根据 LM5141的数据表、低侧的功率损耗可能更高一些、但我认为这不是主要原因?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好 Sam  

    我想您正在谈论典型的高降压和高电流应用中的功率损耗。 例如、如果 VIN=20V 且 VOUT=5V、则占空比为25%。 这意味着25%的电感器电流将流经高侧 MOFET、75%的电感器电流将流经低侧 MOSFET。 在这种情况下、低侧 MOSFET 的导通损耗将大于高侧 MOSFET 的导通损耗。   

    -李家祥