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[参考译文] TPSI3052-Q1:获取输出最大占空比并启用信号电压限制

Guru**** 1796780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSI3052-Q1, TPSI3052
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1126732/tpsi3052-q1-to-get-maximum-duty-cycle-in-output-and-enable-signal-voltage-limitation

器件型号:TPSI3052-Q1
主题中讨论的其他器件: TPSI3052

大家好、

我是 Vivek、我是伊顿公司的 Enginner。 我将上述器件用于 SSR 应用、我将其用于两线制模式、即从控制器提供使能信号。 在这里、我的问题是 GPIO 信号足以驱动 IC、或者我们需要 GPIO 和 IC 之间的任何缓冲器、3V 对它来说是足够的? 为了获得最大占空比、即完成 RPXFR 接地、20K 就足够了、或者我们需要保持更多的电阻值、因为在20K 的数据表中、提到了93%的占空比、我需要完全打开我的开关。 在内部电路中,我是否知道它是如何在输出中产生15V 电压的?

此致

Vivek Gandham

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    您好、Vivek、  

    很高兴通过 E2E 与您会面。 我叫 Francisco Lauzurique、是该产品的应用工程师。 我将在下面对您的问题进行编号、如果我错过了任何问题、请告诉我。  

    1: 在两线制模式下、TPSI3052-Q1是否可以由 GPIO 驱动?

    否 在两线制模式下、最高功率传输(PXFR = 20k)下的 TPSI3052-Q1需要6.7mA。 大多数 GPIO 应该能够产生该驱动电流、但这取决于您的器件。 始终检查 GPIO 功能。 但是、在 两线制模式下、TPSI3052-Q1需要6.5V EN 引脚。 我不相信我看到过任何具有6.5V 功能的 GPIO。

    2:在两线制模式下、TPSI3052-Q1能否以3V 电压驱动?  

    否 在两线制模式下、TPSI3052-Q1需要6.5V 的最小驱动电压才能实现预期功能。

    但是、在三线模式下、您可以使用3V 信号来完成此操作。 我建议选择低功耗传输、以便能够使用微控制器驱动这种传输。 在三线模式下、当 PXFR = 20k 时、VDDP 中所需的电流为32mA。 如果选择最低功率传输 PXFR = 7.32k、则可以实现低至4.5mA 的电流。 通过使用在线计算器、确保您能够以预期的频率驱动 MOSFET。  https://www.ti.com/lit/zip/slvrbi9

    3-如何获得100% VDRV 信号?

    为了在 VDRV 中具有100%的驱动能力、您可以提供100%占空比 EN 信号。 请注意、PXFR 用于确定器件的功率传输、而不是 VDRV 中的占空比。  

    4-如何产生15V 信号?

    在次级侧、变压器次级绕组上感应的电压被整流、并联稳压器调节 VDDH 的输出电压电平。

    请告诉我们,我在这里的答复是否提供了所需的全部澄清。 如有任何疑问、请联系我们。  

    此致、  

    弗朗西斯科·劳祖里克

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    您好 、Francisco Lauzurique

    感谢您的回复、

    1.我正在使用 C2000处理器 、因为 GPIO 最大电压为3至3.3V、在两线制模式下使用相同的 GPIO 信号驱动 IC 是否有任何替代方案?

    2.在三线模式下、我可以使用5V 驱动 IC、使用3.3V 驱动 EN 信号吗?或者我们需要为这两种模式使用相同的电压吗?

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    您好、Vivek、  

    非常感谢您在设计中使用其他 TI 产品。  

    1.是的、您可以将 VDDP 和 EN 短接至同一 GPIO。 这将允许您将器件用作三线模式配置。 但是、请记住、VDDP 限制为5.5V。 我建议检查您的当前能力。 使用 TPSI3052的最低功耗传输(PXFR=7.32k)、这需要4.5mA。  

    2.这不起作用。 检测到 EN 信号为逻辑高电平所需的最小电压为0.7*VDDP。 对于5.5V 的情况、EN 信号需要至少为3.85V 才能被检测为逻辑高电平。 从数据表中提取的以下图像提供了更多详细信息。  

    数据表中的第6.9节

    总之、您可以将 EN 短接至 VDDP 并使用3.3V 驱动器。 这将按您的预期工作。  

    此外、如果您想分享任何原理图以便我们为您提供更详细的反馈、我们也可以提供帮助。  

    请告诉我们这是否能解答您的所有问题。  

    此致、  

    弗朗西斯科·劳祖里克

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    尊敬的  Francisco Lauzurique:

    感谢您的建议

    供参考我将与您分享电路。

    此致

    Vivek Gandham

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    您好、Vivek、  

    非常感谢您的分享。  

    1 - C3是否有一个0.68uF 与2uF 并联? 如果你这么做、那么这很好。 假设您具有此配置、则 VDRV 中的栅极电荷最高可达270nC。 否则、VDDH 中的压降将超过0.5V、因此不建议这样做。 使用此计算器检查您的值。  https://www.ti.com/lit/zip/slvrbi9

    2 -我还看到、对于 R1、您使用的是15 Ω/1W 电阻器。 通常、对于瞬时过载情况、电阻器具有较高的额定值。 可能没有必要为此电阻器设置如此高的额定值。 如果您使用 MOSFET、则该电阻器在瞬态导通期间的耗散最大、该值可能低至微秒值。 但是、此额定值取决于您使用的电源开关类型。   

    请告诉我们这是否能解答您的所有问题。  

    此致、  

    弗朗西斯科·劳祖里克  

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    您好、Vivek、  

    我希望你们做得好、最后一次对话对您的设计有所帮助。  

    接下来、关闭此 E2E。 非常感谢您与我们取得联系。  

    此致、  

    弗朗西斯科·劳祖里克