This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27710:因未知原因造成的损坏

Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27710

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1065178/ucc27710-damage-for-unknown-reasons

器件型号:UCC27710

大家好、

我的客户需要帮助。

1:驱动信号对地短路。 输入为74xx 逻辑门输出电平信号、电平=5V、有大量运算放大器、比较器、安装在5V 上的逻辑门、唯一烧毁的是27710输入、其他组件完全正常、更换27710后一切正常、 27710电源通过7805后提供电源,输出逻辑(示波器测试)没有问题。 造成这种损坏的原因是什么?

2:27710用于逆变器设计。 它始终会烧毁50Hz 半桥驱动器。 高速桥没有问题。 一旦烧坏、芯片就会变得很热。 电源电压范围为11V-15V、升压电容范围为8-10uF、限流电阻为5欧姆。 -20欧姆、结果相同、燃烧后、27710要么具有非常慢的上升沿、要么是关闭而严重的尾端。 这种损坏的原理/电流路径是什么?

3:使用非常旧的 IR2110和其他驱动程序、低速桥驱动器没有问题、为什么不能将27710用于低速驱动? 此原理与上一代半桥驱动器之间是否有任何新的原理设计?

4:在上一次答复中、有人提到自举电容器过大、27710损坏。 这种损坏的原理是什么? 电流限制仍然被烧坏。

5:当占空比非常小或过大= 10%<> 10%时、将会出现问题、并且会烧坏27710、 也就是说,占空比只能在一定比例内控制,如果占空比太大,如果占空比太小,它将会烧毁,为什么会发生这种问题。 MOS 管采用 Infineon 的 C7产品系列。 官方网站上也提供了这一信息,因此不应存在唤醒问题。

6:27710和 MOS 的驱动电阻设置为5-30欧姆、这个问题也会存在。 无法解决使用二极管钳位电流方法实现灌电流/拉电流分离的问题。

请帮助。 谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Chong、

    感谢您联系 E2E。  

    由于圣诞节和新年假期、我们将延迟回复。 我们有关此事的专家将在下周初回来与您交流。

    感谢您的耐心等待。

    此致、

    Leslie

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Leslie、

    好的。 我要等。

    新年快乐!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Chong、

    感谢您的理解!   新年快乐!

    我们的专家可能会在下周再次与您交流。

    谢谢、

    Aaron Grgurich

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Chong、

    从您的描述中可以看到、驱动器输入级会发生损坏、这种损坏仅在较短的占空比和较长的占空比期间发生。 确认此摘要正确。

    我查看了 UCC27710和 IR2110的数据表、没有看到驱动器输入的任何数据表额定值、与 IR2110相比、这些额定值应该是 UCC27710的问题。  

    关于所关注的占空比、UCC27710驱动器可以响应60ns 正脉冲和75ns 负脉冲(最大值)、因此控制器的导通时间在驱动器输出将响应的范围内。 然而、窄占空比不应损坏驱动器输入、驱动器输出是否响应。

    我看到的一个差值是驱动器输出电流额定值、对于 IR2110为2A、对于 UCC27710为0.5A 拉电流和1A 灌电流。 我在评论6中看到、您提到驱动电阻为5至30欧姆、使用钳位二极管方法实现灌电流/拉电流的分离是无法解决的。 这是否意味着存在单个栅极电阻器、并且客户尝试了5至30欧姆的电阻器? 请发表评论。

    我看不到 UCC27710的0至5V 驱动信号如何损坏 UCC27710输入级。 我预计会出现超出此电压范围的瞬态情况。

    您能否发送驱动器组件的原理图以及与输入和功率级的连接以供查看? 如果存在共享问题、则可以使用部分原理图。

    此致、  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Richard、

    我的客户回答:

    输入对地短路与占空比的大小无关。 到目前为止还没有发现相关规则、接地电阻在几欧姆以内。 这个问题很奇怪。 我当时想将其发回给您进行分析、但我发现您公司的拒绝、损坏了样片、并且已混叠、无法找到。  

    最近,我一直尝试使用其他模型,例如:eg2113;eg2106;eg3112和其他模型,通过 PCBA 测试得出一般结论,最容易损坏的是27710,最佳效果是2113; 包括 IR 及其他型号、IR 材料的旧规格,主要反映在延迟及响应速度等方面,无法跟上科技发展的步伐。 因此、我一直想尝试使用27710。  

    但在官方网站上购买的数百个样本中、损坏程度已接近一半。 在中文支持论坛上、我发布了波形、27710的损坏与电流几乎没有关系、损坏模型可能来自 MOS-CGD 模型、电压击穿。 电流钳位和电压钳位应叠加在27710的驱动输出上。 目前尚不清楚27710是否具备这种能力?  

    在单独的测试模型下、27710具有非常理想的效果、脉冲大小不会影响器件的工作状态。 当 MOS 处于高电压状态并且 GAT-D 被控制时、这个模型完全不适合静态模型(电容)。 这是27710损坏基本原理的原因、MOS-GD 模型和 DS 模型之间的差异很大。 包括使用 UCC275XX 系列、我也遇到了这个问题。 驱动器的输出模型不再是简单的电容器模型。

    这是原理图

    这是低电压。下的静态 GAT 波形,


    展开详细信息



    详细信息展开2.


    这是低电压下的静态理想 GAT 波形



    MOS-D 开始施加电压


    继续增加 MOS-D 的电压、情况开始恶化

    更严重

    更严重


    在特定时刻、准备炸鸡


    在一定的时间,要准备炸鸡,没有办法治愈。

    回到这里、看看静态驱动波形、有多漂亮、有多舒适、一切都是理论上的


    为什么会这样

    在特定时刻、准备炸鸡


    比他,炸鸡


    和此类 GAT


    尝试不同比例的 GAT 电阻器、损耗非常大


    太糟糕了


     OU~否~否~否

    我查看了 UCC27710和 IR2110的数据表、没有看到驱动器输入的任何数据表额定值、与 IR2110相比、这些额定值应该是 UCC27710的问题。  

    关于所关注的占空比、UCC27710驱动器可以响应60ns 正脉冲和75ns 负脉冲(最大值)、因此控制器的导通时间在驱动器输出将响应的范围内。 然而、窄占空比不应损坏驱动器输入、驱动器输出是否响应。

    我看到的一个差值是驱动器输出电流额定值、对于 IR2110为2A、对于 UCC27710为0.5A 拉电流和1A 灌电流。 我在评论6中看到、您提到驱动电阻为5至30欧姆、使用钳位二极管方法实现灌电流/拉电流的分离是无法解决的。 这是否意味着存在单个栅极电阻器、并且客户尝试了5至30欧姆的电阻器? 请发表评论。

    我看不到 UCC27710的0至5V 驱动信号如何损坏 UCC27710输入级。 我预计会出现超出此电压范围的瞬态情况。

    您能否发送驱动器组件的原理图以及与输入和功率级的连接以供查看? 如果存在共享问题、则可以使用部分原理图。

    此致、  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    下面是27710的完整原理图。

    PCB 布局。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

    感谢您的更新、原理图、布局和详细波形。  

    我们的专家目前不在办公室、但将在查看您的最新更新后的接下来几天内与您联系。 感谢您的耐心等待。

    此致、

    Andy Robles

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Chong、

    感谢您提供范围和原理图更新。 在 MOSFET 导通期间、我确实会看到栅极驱动器上明显的振铃、这看起来与米勒电荷相关、因为它与 VDS 下降 dV/dt 同相。

    这通常发生在 MOSFET 的米勒电荷耦合到 Vgs 中、当 Vds 上存在高 dV/dt 和/或从驱动器到 MOSFET 的栅极驱动环路中存在明显的迹线电感时、情况更糟。

    布局看起来不像布线长度过长、因此在切换 IGBT 时会出现这么多的振铃、我对此感到有点惊讶。

    减少这种振铃的常见改进、您可能已经尝试过其中一些改进。 增加栅极电阻以降低开关 VDS dV/dt。 通过使用更短的长度和/或更宽的布线来降低栅极驱动布线电感。

    在低频设计中使用的另一个非常常见的改进是直接在 MOSFET/IGBT 栅极和源极引脚上增加电容。 这将减少 MOSFET 右侧 Vgs 上的电压扰动。

    显示了驱动器输出波形上明显的负电压尖峰、该尖峰可能超出器件额定值。 保护驱动器输出的一种方法是在驱动器输出端接地端添加一个小型封装肖特基二极管、以钳制负电压尖峰。 将该二极管尽可能靠近 IC 引脚放置以使其生效。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Richard、

    我的客户回答:


    添加 CGD 电容器、电容值从100pF 到820pf、电容值太小、没有值感、所有波形图都来自820pf。  
    上升延迟为36ns、电击变化不大、从 IDS 电流的角度来看、电流上升也随抖动的变化而变化、因此损耗很大。但现在 VDS 电压不够高、因此老化不够强烈

    此时、上管开启、所有测量的波形都来自下管。 干扰严重、下管的 IDS 电流仍然很大。 同样、VDS 的过冲非常强。μ s

    下管闭合时的 gat / VDS / IDS /效果非常理想。我以前没有添加过 CGS。 当它是相同的。时、它是如此完美

    关闭延迟时间
    从上面的测试结果可以看出、导通已成为问题的最大根源。 我想问是否控制27710的开启电流、或者27710的内部恒定电流吸收器的带宽是否怀疑为自激励。 这已成为我最大的顾虑、
    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    张您好、

    UCC27710驱动器导通电流由内部驱动器上拉器件特性和输出级中驱动器内部器件的内部驱动器预驱动电压决定。 如果外部栅极电阻足够低、而 VDD/Rgate 将超过0.5A、则内部驱动器器件将向输出端提供受限的驱动电流。

    驱动器输出没有具有带宽问题的恒流电路。 上拉和下拉电流由总栅极驱动电阻和 VDD (如果该电流结果小于驱动器额定值0.5A/1A)或上述内部驱动器器件特性决定。

    Vgs 波形中出现的振荡通常来自 Vgs 的寄生引线电感和有效电容。 此外、根据功率器件的特性、一些功率器件更有可能显示此振铃。

    此致、