[参考译文] BQ77216：发生欠压事件时进行背靠背 FET 控制

您好 Gabriel、

我相信您对这种应用配置是正确的。  但是、我觉得 可能需要在数据表中对此进行澄清。

如果只将 DSG FET 移到 PACK+侧、而将 CHG FET 移到 BAT+侧、背靠背稍微发生了变化、则该图将采用高电平有效情况。

在高电平有效的欠压情况下、COUT 电压将~0V、DOUT 将~6V CHG FET 将关断、DSG FET 导通。 但是、由于 CHG FET 的体二极管效应、仍然会发生放电。 在低电平有效配置中、所示配置实际上可以工作、因为 CHG FET 将导通、DSG FET 将关断、并且由于 DSG FET 的体二极管、充电仍会发生。

这种安排在我们的产品中并不常见、有关常用配置的示例、请参阅 BQ76952 EVM。 我将与团队中的其他人一起指出这一点、看看我们是否可以在数据表中对此进行澄清或更改数据表图以适合我们的其他产品。

此致、

Luis Hernandez Salomon

您好 Gabriel、

不完全是。 FET 本身不处于常规配置中。 我要说保持所有引脚连接不变、并将 Q_DSG FET 移到 PACK+侧、将 Q_CHG FET 移到 BAT+侧。 有关常用背靠背 FET 的示例、请参阅数据表中的图10-4。

数据表提到最小电源电压为5V 因此、我假设这是器件将关断时的电压。 是的、如果器件关断、除非电源电压足够高、否则您将无法再次恢复。

此致、

Luis Hernandez Salomon

您好 Gabriel、

是的、5V 最小电源电压是堆叠顶部电压。

如果使用背靠背 FET 配置、是的、情况就是这样、除非电源引脚上有5V 电压。 它不太可能达到<5V 的点、因为该器件需要至少三节串联电池、并且这些电池的欠压设置通常高于5V 点。

此致、

Luis Hernandez Salomon

您好 Gabriel、

我还认为我在之前回答您的问题时犯了错误。

我对 该部件的想法不正确、 我认为您认为该部件必须为低电平有效是对的。 由于您只想在发生故障时关闭 FET、并且在正常模式下、DOUT 和 COUT 似乎都处于非活动状态。

您需要该部件为低电平有效、以便 FET 始终通过将栅极拉至 VSS 来导通、除非故障导致 FET 关断。 在低电平有效配置中、需要从外部拉高引脚。 这不是一种常见的配置、FET 关断速度较慢、因此建议在低电流系统中使用。

我对这种混乱表示歉意。

此致、

Luis Hernandez Salomon

您好 Gabriel、

是的、您回答正确。 UV 保护会考虑每个单独的电池、如果单个电池达到 UV 保护以下、则会启动保护。

对于 UV 保护恢复、我们需要使每个单节电池高于 UV+UV 迟滞、以实现 UV 保护、对吧？
是的、这是正确的。 一旦所有电池达到该值、器件将恢复。

由于充电路径通过放电 FET 体二极管、存在的最小充电电压 UV 保护需要考虑二极管正向压降、对吗？ 那么、它将是 UV+UV 迟滞+ VF？
我相信这也是对的。 我不太熟悉充电器的工作原理、但这听起来不错。 充电器的电压至少需要高于 UV + UV 迟滞+ VF、以便电流导入电池中形成电压、从而使器件脱离 UV。 请记住、由于电流流动、通过体二极管产生的热量越高、由于体二极管、流经 FET 的热量就越高。

此致、

Luis Hernandez Salomon