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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1063410/lm5009-boot-rc-to-slow-down-the-switching-edge
尊敬的 TI 专家：
我们正在调试一个问题、发现 LM5009开关噪声是导致该问题的原因。
我们尝试添加与 BST 电容器串联的10欧姆电阻器、然后该问题得到改善/解决。
那么、我们可以使用10欧姆+0.022uF 的引导 RC 值吗？ 请确认。
谢谢
您好、Neo、
您可能需要在运行条件下检查此情况、尤其是在系统上的最低 VIN 条件下。
该值似乎合理、我们通常放置在1 - 4.7欧姆左右、以减慢开关的上升时间。
或者、您可以在 SW 到 GND 之间的二极管上放置一个缓冲器 RC 电路、以缩短开关节点的上升和下降时间。
-Arief
您好、Arief、
感谢您的回复。 添加串联电阻器的主要问题是什么？
我的理解是、LM5009内部顶部 FET 的开关损耗更高、因此该器件会出现高温上升、还有其他影响吗？
为什么最低 VIN 影响最大？
对于我们的应用、输入为52-56V (典型值54V)、输出为3.3V、最大电流小于100mA。
新生儿
此外、如果我们使用缓冲器、我应该从哪个 RC 值开始？
您好、Neo、 问题是、由于添加的串联电阻过大、RC 时间常数导致引导电容器充电延迟过长。 最坏的情况是在接近 VOUT 的最小 VIN 或关断时间较短的高占空比条件下。 启动电容器在顶部 FET 的关断时间内充电。 在关断期间、二极管导通且 SW 节点为低电平、因此引导电容器此时正在充电。
由于您的最小 VIN 为52V、VOUT 为3.3V、我认为您可能不会遇到这种情况。
对于 SW 节点的缓冲器网络、您可以从1欧姆和1000pF 电容器开始
谢谢 Arief。 我将使用4.7欧姆 Rboot +0.022uF 电容、并使用 您建议的值添加 RC 缓冲器的占位符。
感谢您的帮助。 请告诉我您的最终是否有任何进一步的疑虑
没问题。
