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[参考译文] LM5009:引导 RC 以降低开关边沿的速度

Guru**** 1133960 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5009
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1063410/lm5009-boot-rc-to-slow-down-the-switching-edge

器件型号:LM5009

尊敬的 TI 专家:

我们正在调试一个问题、发现 LM5009开关噪声是导致该问题的原因。

我们尝试添加与 BST 电容器串联的10欧姆电阻器、然后该问题得到改善/解决。

那么、我们可以使用10欧姆+0.022uF 的引导 RC 值吗? 请确认。

谢谢

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    您好、Neo、  

    您可能需要在运行条件下检查此情况、尤其是在系统上的最低 VIN 条件下。  

    该值似乎合理、我们通常放置在1 - 4.7欧姆左右、以减慢开关的上升时间。  

    或者、您可以在 SW 到 GND 之间的二极管上放置一个缓冲器 RC 电路、以缩短开关节点的上升和下降时间。  

    谢谢

    -Arief

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    您好、Arief、

    感谢您的回复。 添加串联电阻器的主要问题是什么?

    我的理解是、LM5009内部顶部 FET 的开关损耗更高、因此该器件会出现高温上升、还有其他影响吗?

    为什么最低 VIN 影响最大?

    对于我们的应用、输入为52-56V (典型值54V)、输出为3.3V、最大电流小于100mA。

    谢谢

    新生儿

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    此外、如果我们使用缓冲器、我应该从哪个 RC 值开始?

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    您好、Neo、

    问题是、由于添加的串联电阻过大、RC 时间常数导致引导电容器充电延迟过长。 最坏的情况是在接近 VOUT 的最小 VIN 或关断时间较短的高占空比条件下。 启动电容器在顶部 FET 的关断时间内充电。 在关断期间、二极管导通且 SW 节点为低电平、因此引导电容器此时正在充电。  

    由于您的最小 VIN 为52V、VOUT 为3.3V、我认为您可能不会遇到这种情况。  

    对于 SW 节点的缓冲器网络、您可以从1欧姆和1000pF 电容器开始

    谢谢

    -Arief

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    谢谢 Arief。 我将使用4.7欧姆 Rboot +0.022uF 电容、并使用  您建议的值添加 RC 缓冲器的占位符。  

    感谢您的帮助。 请告诉我您的最终是否有任何进一步的疑虑

    新生儿

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    没问题。  

    谢谢

    -Arief