您好！
我们正在为 IGBT (IKW40N120CS6)设计栅极驱动器、该器件的短路处理时间非常短(3us)、对于此类短时间 DESAT 保护、如果我们使用0.5mA 的电流源计算消隐电容器、则电容器大约为15pF。 如果我们频繁地触发如此小的电容器 DESAT 保护、我认为这是由于在关断期间通过阻断二极管寄生电容器充电电流造成的。
1.我的想法是否正确？
2.我们是否有任何方法可以在不减少消隐电容器的情况下增加检测时间？
Rupesh、
IGBT 的3us 耐受时间非常短、与 SiC 相当。 感谢您分享 IGBT 的 P/N、这对您有很大帮助。
[引用 userid="481526" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1063240/iso5852s-Q1-desat-protection"]1. 我的想法是否正确？[/引述]这实际上是有道理的、因为使用如此小的消隐电容器时、电容器分压器效应将提供更大的电压。
但是、这种小电容也会使消隐时间很短。 您甚至可能几乎没有电容器。
15pF 非常小、因此驱动器和二极管的电容效应影响更大。 15pF 至少比应使用的最小消隐电容器小一个数量级。
[引用 userid="481526" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1063240/iso5852s-Q1-desat-protection"]2. 我们是否有任何方法可以在不减少消隐电容器的情况下增加检测时间？我们实际上有一个有关该确切主题的常见问题解答。 链接。 我还建议您将消隐电容器增加到最低220pF。
我还想向您介绍下面的常见问题解答。 您可以通过添加串联齐纳二极管显著加快 DESAT 检测时间、这对于该器件而言可能是必需的。
我建议使用 UCC217xx DESAT 计算器页面的一个页面来帮助您确定组件值。 如果添加串联齐纳二极管、只需将其 VZ 添加到 齐纳二极管的 VFW 字段特定字段。
请注意、ISO5x5x 不应使用计算器的其他页面、因为它们可能使用不同的参数。 该页面是计算器(称为 DESAT 计算器)中的 lat 页面。
https://www.ti.com/lit/zip/sluc695
另请注意、此页面无法考虑第一个常见问题解答链接中的额外电阻器、因此如果需要使用该电阻器、则无法使用此计算器。
如果无法使用上述方法实现足够短的检测时间、则可能需要查看 UCC21710等器 件。 此器件具有一个 OC 引脚、可配置为 DESAT、而对于耐受时间极低(前沿消隐时间)的电源开关而言、不存在时序劣势。
如果您有任何其他问题、请告诉我。 请按绿色按钮让我知道我是否回答了您的问题。
最好
Dimitri
