This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5036:LM5036的死区时间

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5036, UCC28951
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1133851/lm5036-dead-time-of-lm5036

器件型号:LM5036
主题中讨论的其他器件: UCC28951UCC25800

大家好、

我的客户有关于 LM5036的问题。

由于死区时间的计算方法为、 t1 = td + tCLK

当 TD = RD1×2pF + 20ns 时

tCLK 通常为65ns。

总死区时间似乎很长。 您能不能帮助您提供建议、以减少死区时间? 或者、您是否有未来的产品系列来缩短它们的死区时间、从而提高效率? 谢谢!

此致、

小燕

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Xiaoying、

    我建议 使用 UCC25800 作为 LM5036的替代产品。 它是一款全新的半桥变压器驱动器、具有自动死区时间调节功能。 典型的自适应死区时间仅为20ns、最大值为45ns。  

    此致、

    王永平

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    小燕

    对于低功耗偏置、我喜欢 Jonathan 对 UCC25800的推荐。 此 IC 具有低功耗的集成 MOSFET、可将功率限制在9W 典型值以下。 UCC25800可编程死区时间用于设置两个集成式初级侧半桥 MOSFET 之间的死区时间、但您要询问的 LM5036死区时间用于设置初级 MOSFET 和次级 SR 之间的死区时间。 大多数具有集成 SR 栅极驱动器的半桥控制器将具有固定数量的初级到次级最小死区时间、这与 LM5036的死区时间差不多。 减少死区时间的一种选择是使用外部 SR 控制器或栅极驱动器、该控制器或栅极驱动器可自驱动或控制驱动、但您会放弃许多 LM5036功能、例如预偏置启动和保证的最短死区时间(交叉传导风险)。 使用 UCC28951、您可以看到死区时间设置稍小、但这是一个 PSFB 控制器。 我想、如果您需要坚持使用 LM5036、您会看到的就是您得到的结果。

    此致、

    Steve M

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    另一个需要考虑的因素可能是 UCC28250 、它具有较低的 SR 至初级死区时间、非常适合桥接拓扑、具有带预偏置的 SR 控制。

    Steve M