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[参考译文] TPS23753:设计评审支持

Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23753, TPS23731, TPS23751, TPS23754

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1057411/tps23753-design-review-support

器件型号:TPS23753
主题中讨论的其他器件: TPS23731TPS23751TPS23754

您好!

我们在 设计中使用 TPS23753 - PoE PD 控制器。

我们需要在 PoE PD 控制器部分回顾我们的设计。 我无法在公开论坛中共享机密原理图和布局文件。

我将通过邮件亲自共享这些文件、以进行审阅。  

因此、请在此处帮助查看设计文件。

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    您好!  

    您是否使用过 PoE PD 原理图布局 审查指南?

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    此致、  

     

    Michael P.

    应用工程师

    应用工程师  

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    大家好、Michael Pahl、

    是的、我们使用了 TI - TPS23753 PoE PD 控制器、在我们的设计中考虑了 TI 指南。

    但是、根据我们的测试、我们在设计中实施了很少的更改。

     我们希望查看我们的 PoE PD 控制器部分。

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    大家好、Michael Pahl、

    我们在 TPS23753的 VDD 和 VDD1引脚中使用限流电阻器。

    要确定电阻器值、请共享引脚 VDD 和 VDD1的电流消耗

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    您好!  

    我能不能问您为什么要在这些引脚上使用限流电阻器?  

    设计中的功率在许多方面受到限制。 首先是内部导通 MOSFET 具有电流限制、如果电流过高、则会关断。 另一个电流限制是电流检测(CS)引脚、用于测量流经变压器初级绕组的峰值电流。  

    最后、PSE 还应限制功耗、并在功耗超过15W 时关闭电源。  

    此外、如果您希望实现更精细的调优功率限制电路、我们通常会根据以下白皮书中的指南在 CS 引脚上限制该电路: 设计用于输入功率共享和功率限制的 PoE 开关电源

    对于 VDD 电流、我真的不想尝试限制这个电流。 这为 PoE PD 电路供电、如检测和分类。 这些功能取决于电压和电流精度、因此不建议干扰该功能。 此外、这些功能将根据 PoE 握手过程中的位置打开和关闭。  

    相反,当我考虑功耗时,要观察的两个因素是内部导通 MOSFET 上的功率和直流/直流转换器所需的功率(VCC*ICC +驱动 FET 所需的功率)。  

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    Michael P.

    应用工程师

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    您好、Michael、

    我们的 PoE 设计在预合规性浪涌测试中失败。 当浪涌进入 PoE 部分时,PoE 输入两端的二极管显然会做出反应以保护电路,但我们不会这样做。 当浪涌进入部分时、PD 控制器 IC 变得短路。 我们尝试在浪涌期间在 Vcc 和 Vcc1引脚上施加高阻抗、PD 控制器工作正常。 我们怀疑在浪涌事件期间、tvs 二极管的反应时间可能不够快、无法保护控制器、这会在 VCC 和 vcc1引脚中损坏。 我们在这里表示的限流电阻器不用于负载电流限制、它是为了在高浪涌事件期间保护 Vcc 和 Vcc1引脚。

    正如您提到的、VCC 有很多内部电源要求、我们能够从数据表中的内部方框图中了解到、 但是、为了为引脚 VCC 和 vcc1设置适当的限流电阻值、而不会中断握手和其他正常运行、我们需要 VCC 和 vcc1引脚的电流消耗。

    请提供此功能的电流消耗详细信息  

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    您好!  

    噢、我明白了、这不是用于功率限制、而是用于浪涌。  

    在本例中、我认为大多数 PoE 功能都关闭了、因此我认为如果我们对 VDD 和 VDD1使用相同的限制、我们将是安全的。  

    VDD1电流可轻松测量或可靠计算。 电流本质上是通过 VCC 引脚的电流 ICC。  

    要计算它、电流为 VCC 工作电流(0.85mA)加上驱动栅极引脚上 MOSFET 所需的电流。 因此、它将取决于您的 MOSFET。  

    有关浪涌的更多信息、您是否考虑 了 PoE 供电设备的雷电浪涌注意事项  应用手册?

    本文介绍了在 PD 设计中加入浪涌保护功能的所有位置。  

    此外、如果浪涌电平高于4kV、我们为 PSE 设计了6kV 参考设计。 您可以使用 TVS、SPI 和 MOV 器件型号来提供更可靠的浪涌保护选项。 以上纸张仅适用于4kV 部件。  

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    Michael P.

    应用工程师

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    您好、Michael、

    请查看以下 MOSFET 电流考虑因素、并根据该因素计算 Rvdd1和 RVDd 电阻器值。


    根据 IEEE 802.3at 规范、PD 侧的电压范围为37V 至57V。  我们已将 37V 视为最小输入电压、并将57V 视为引脚 VDD 和 VDD1的最大输入电压。  我们使用的 MOSFET 具有21nC (栅极电荷最大值)、下面是 MOSFET 数据表的链接- https://www.vishay.com/docs/71356/71356.pdf 

    TPS23573的开关频率为248KHz (典型值)、时间周期将为4.03uS。

    考虑到33%的占空比(12V 输出为@37V)、时间周期将为(tON - 1.329uS、TOFF - 2.7uS)

    Igate = QGATE /开关时间= 21nC/1.329uS = 15.8mA 是最大浪涌栅极电流。

    VDD1电流= 0.85mA +(MOSFET 栅极电流)= 0.85+15.8 = 16.65mA

    功率= 12V * 16.65mA = 199.8mW (测试条件、VC = 12V)

    功率(@37V)= 37V *输入电流

    VDD1输入电流最大值= 199.8mW/37V = 5.4mA

    VDD1输入电流最小值= 199.8mW/57V = 3.5mA

    RVDd = RVdd1

    电阻值 Rvdd1 = 6.85k Ω(@37V、5.4mA)、 Rvdd1 = 16.28k Ω(@57V、3.5mA)

    我们有两种设计、一种是0类设计、另一种是4类兼容设计。 请确认,对于两种以太网分类,内部协商电流额定值是否与0.85mA 相同?

    如果是,我们可以在两种设计中使用6.85K 和16.28K 之间的电阻器值,对吧?

    另请确认 PD 控制器部分的原理图和布局审查请求。 我将亲自分享设计文件、请尽快更新审查流程。  共享您的邮件 ID 以发送设计文件以供审阅。

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    您好!  

    内部分级电流受电阻器的影响、但每个分级电阻器的电流都包含在第4页的数据表中。 电流 额定值 是相同的、因为我们使用最高值4类来表示我们的额定值。  

    这些值应该起作用、但您应该对它们进行测试。  

    我将与您当地的现场应用工程师合作以获取文件。  

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    Michael P.

    应用工程师

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    也可以通过 Messenger 向我发送文件。  

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    您好、Michael、

    分级电流值-对于4级 PD 为44mA、根据内部方框图、分级电流值以2.53V 为基准。 我认为它在所选电阻器值的限制范围内。 它不应产生任何影响、因为 我们考虑了最大 Vcc 电流(0.85mA @ 12V)。

    感谢您对澄清问题的支持。 肯定会使用这些电阻器值测试设计、并会返回给您以获得进一步支持。

    关于设计审查、最好通过本地 FAE 共享文件、以保持设计的机密性。

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    您好!  

    我能够查看这些文件、它们看起来很好。 唯一的问题是 TPS23753无法支持4类功率 levels..it 只能支持高达13W 的功率。 因此、您将需要一个新的 IC。 我建议使用 TPS23751或 TPS23731

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    Michael P.

    应用工程师

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    您好、Michael、

    对于4类器件、我们使用 TPS23754。

    感谢您查看原理图和布局文件。 请分享您对布局和布局的意见(如有)。

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    您好!  

    我的评论是、它们看起来不错。 谢谢!

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    此致、  

     

    Michael P.

    应用工程师

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