[参考译文] TLV1117：原理图审阅

大家好、Kygo - San、

我已经查看了原理图和布局、并有几个问题。

1. 两个器件的预期负载电流是多少？ 12V - 3.3V 电压可能会导致大量功率耗散。
2. 输出电容器是陶瓷电容器吗？ TLV1117是一款相当旧的器件、是在陶瓷电容器受到欢迎之前设计的、它需要至少0.2 Ω 的 ESR 来实现稳定性。

此致、

Nick

你(们)好 Nick

感谢你的帮助！

我将与 RD 进行核实！

你(们)好 Nick

与客户讨论后、

输出电流为0.5A！

2.May I know the Layout is OK？(我是否知道布局是否正常？) 客户是否需要重新布局？ Thx

大家好、Kygo - San、

LDO 中耗散的12V - 3.3V @ 500mA 为4.35W。 这对应于 DCY 封装中超过400C 的结温上升。 这显然耗散了太多的功率。 它们具有的选项是使用额外的并联 LDO 来帮助分散功率耗散、或在进入 LDO 之前使用直流/直流来降低电压。  

要回答您的第二个问题、如果 LDO 中没有消耗太多功率、布局看起来很好、但由于我上面提到的问题、可能需要重新布局。

此致、

Nick

你(们)好 Nick

因此，我需要检查 红色框架 结点到环境温度的以下情况吗？ Thx

2.您是否可以为这种情况建议解决方案？

它可以满足 12V - 3.3V @ 500mA、THX 要求

大家好、Kygo - San、

1. 是的、因为它们使用的是 DCY 封装
2. 为此、他们必须使用单个 TLV1117的唯一选择是使用不同的封装。 例如、DRJ 封装具有更好的热性能(R_θ θJA = 38.3C/W)、此外 、与 用于仿真这些热指标的 JEDEC 板相比、通过使用更热优化的电路板布局、可以根据数据表规格改进 R_θ θJA。 请参阅此应用手册、了解有关以下内容的更多信息：
   电路板布局对 LDO 热性能影响的经验分析
   另一种选择是使用降压稳压器在进入 LDO 之前降低一些电压。 当然、这需要大量额外的电路板空间。  

此致、

Nick