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[参考译文] LM5145：回复：提交以进行设计审查

admin
Guru**** 670830 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145, CSD18563Q5A, LM61480
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1055759/lm5145-re-submission-for-design-review

器件型号：LM5145
主题中讨论的其他器件： CSD18563Q5A、 LM61480

设计要求：

输入电压范围：9V - 36V

输出电压：5V  

输出电流：8A

允许的最大电压纹波(峰峰值)： 100mV

查找以下包含 上述要求设计文件的附件、并 提交 TI 审核、并分享评论  

e2e.ti.com/.../sch_5F00_501_2D00_1_2D00_02018_5F00_lm5145.zip

 

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、请完成此设计并发送 LM5145快速入门计算器： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 原理图看起来不错、但如果 Vinmax 为36V、则可以使用60V FET。 试用 CSD18563Q5A。 此外、您还可以将 NC 引脚连接到 GND。

    请注意、如果您需要更小、更易于实施的解决方案、而无需外部 FET (目前很难提供)、我们提供 LM61480 36V、8A 转换器。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim、

    我们对设计进行了一些修改、并附加了最新的设计文件、同时还完成了快速入门计算器。 请查找最新文件

    e2e.ti.com/.../lm5145-ti-review.zip

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    与之前相同的注释适用于 FET (使用40V 或60V 器件)。 以下是一些附加注释：

    1. 使用一个 RT 电阻器、因为这是一个对噪声敏感的节点。
    2. 电流限制在20A 时看起来非常高。 12A (满负载的150%)更合适。
    3. 在快速启动中使用 Cout 的降额值和电压。 5VDC 时66uF 是否正确？ 冷通常是最低有效电容。
    4. 目标交叉频率应为 Fsw 的10%(40-50kHz)。 相应地更新补偿值。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Tim、请在下面找到您宝贵意见的答案

    1.）与之前应用的与 FET 相关的注释相同(使用40V 或60V 器件)。 --由于我们有更多的库存，我们使用的是同一个 FET。 我是否可以知道使用 FET 的影响？
    2.）使用一个 RT 电阻器、因为这是一个对噪声敏感的节点。 --根据您的建议进行了更改。
    3.)电流限制在20A 时看起来非常高。 12A (满负载的150%)更合适。 --根据您的建议进行了更改
    4.)在快速启动时使用 Cout 的降额值和电压。 5VDC 时66uF 是否正确？ 冷通常是最低有效电容。 好的，我们正在研究这个。
    5.)目标交叉频率应为 Fsw 的10%(40-50kHz)。
    相应地更新补偿值。 --根据您的建议进行了更改。

    请在下面找到更新的设计文件和快速入门计算器、并告诉我您对此的反馈/意见。

    e2e.ti.com/.../LM5145-TI-REVIEW-B1.zip

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您提供更新后的文件。 明天我将介绍一下、因为今天是美国的假日。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 670830 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    快速入门计算器看起来不错-只是将交叉频率设为稍高一点(在本例中为10-15%的 FSW 良好- 40-60kHz)、并相应地更新补偿值。 此外、请检查在5VDC 下、66uF 实际上是陶瓷输出电容器的有效值。

    在原理图中、将控制器的 NC 引脚接地以获得更好的 GND 平面面积。 此外、还应考虑使用稍低的 Rdson 低侧 MOSFET。 如果 Vin -max 为36V、则无需80V FET -请尝试改用 CSD18563Q5A 60V FET。

    此致、

    Tim