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[参考译文] BQ2973:保护电路 BQ29737/BQ29707/CSD16327Q3T

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16406Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1056259/bq2973-protective-circuitry-bq29737-bq29707-csd16327q3t

器件型号:BQ2973
主题中讨论的其他器件:CSD16406Q3

您好!

我想由您来运行我的保护电路设计。  我使用的是3P Grepow 704230 (835mAh)配置、其充电电流最大为2505mA (1C)、放电流最大为 7515 (3C)。  系统需要在最大2.8V 和4.28V 下关闭。  我们想到的两个芯片是 BQ29707和 BQ29737、因为它们目前可用、或者不久将会出现。   最初、我复制了 BQ297XX 数据表中使用  CSD16406Q3 MOSFET 的基本设计。  但是、当电池接近3V 时、MOSFET 的导通状态电阻会变得非常高。  因此、我将  CSD16327Q3T 视为替代产品。  您能不能查看我在这个结论中使用的设计和表格、并告诉我我的想法是否正确?  (Ron 用于设计中的两个串联 MOSFET)谢谢。

e2e.ti.com/.../060045_2D00_001_2D00_BMS.pdf

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    您好 Kornelis、

    对于您的原理图、我建议您遵循数据表中显示的第10.2节设计过程。 我还建议您查看BQ29700EVM 原理图以供参考。 简 而言之、FET 的栅极-源极上缺少~5.1M Ω 电阻、从而使 FET 的栅极-源极电容放电。

    是的、您完全正确、理想情况下、您希望 FET 的 RDSON 尽可能处于平坦的电压区域、以满足您的工作条件。  您的 FET 可能是可以的。

    在选择器件或 FET 时、请记住 OCC/OCD/SCD 阈值。 假设 OCC 为-0.090V (BQ29707器件) 、最坏情况下的电池电压为2.8V、RDSON 为~15m Ω、则在触发 OCC 之前、您的最大充电电流可能为(0.090V)/(15m Ω)= 6A、则您的充电电流在规格范围内、因此没关系。 对于 BQ29737器件、OCC 之前的最大充电电流为~3.33A、仍在您的充电规格范围内。

    同样、您可以使用器件阈值和 RDSON 的 OCD 和 SCD 来实现此目的、以确定何时触发这些阈值。 计算这些值并查看这些值是否适用于您的系统。

    如果这些看起来正常、您的设计应该没有问题。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    您好、Luis、

    感谢您的回答。  最初、我在设计中使用了5.1M 电阻器、但为了节省空间、我认为根据数据表、这些电阻器是可选的。  如果需要、我会将它们放回。  

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    您好 Kornelis、

    您应该具有这些功能以确保 FET 正常运行。 栅极电容可能会导致意外行为。 该电阻器将有助于耗尽栅极电荷并帮助 FET 关断。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

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    感谢您的回答。  我将把它们放回。 感谢您的帮助! :-)