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[参考译文] UCC23313-Q1:高侧 MOSFET 驱动器设计

Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT, SN6501, UCC23313-Q1, TPSI3050-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1055432/ucc23313-q1-high-side-mosfet-driver-design

器件型号:UCC23313-Q1
主题中讨论的其他器件:CSD19536KTTSN6501TPSI3050-Q1

尊敬的 TI 团队:

我计划在 CSD19536KTT、 UCC23313-Q1和 SN6501的帮助下为 EV 电池组设计高侧 MOSFET 驱动器。

我想让 TI 专家审查方框图。 请提供电子邮件 ID、以便我可以共享块数字进行审核。  

Rami Reddy//电子邮件: ramireddy@sunmobility.com

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    您好、Rami、

    我将向您发送一个朋友请求、您可以通过 DM 将文件发送给我。  

    此致、

    Don

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    我通过 DM 分享了方框图。 请检查并提供您宝贵的反馈。 我们需要快速打开和关闭、这就是我们决定去  UCC23313-Q1的原因。  

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    您好、Reddy、

    感谢您的分享。 您的概念看起来很坚实。 我唯一的建议是将一个栅极电阻器与每个并联 FET 串联。 这将在 FET 之间引入一些阻抗、并防止它们之间可能出现寄生振荡。 以下是我的好朋友编写的应用简报、他对该简报进行了更详细的描述: www.ti.com/.../slvaf39a.pdf

    如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮。

    此致、

    Don

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    尊敬的 Don
    感谢您的反馈。 我们将添加单个栅极电阻器。  

    在方框图中:我考虑了背对背 MOSFET 的共源极点,我将其用作隔离电源的参考接地。

    考虑到所有这些最坏的情况、这是否正常
    通用源是浮点。 当 MOSFET 导通时、共源极点从0V 变为60V。  

    2.背靠背 MOSFET 的输出连接到充电器/电机控制器。 充电器电压介于40V-60V 之间、因此电池组电压也是如此。 但是、每当我们要打开 MOSFET 时、我们都会将充电器电压设置为小于电池电压、以实现平滑的充电传输。  

    您是否忘记了所有 这些对 MOSFET 栅极驱动的任何问题??

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    您好、Rami、

    是的、这应按您的意愿工作。

    可能对您来说不够快、但我的朋友正在制作一款速度足够快的器件: tpsi3050-Q1

    此致、

    Don