主题中讨论的其他器件:CSD19536KTT、 SN6501、 TPSI3050-Q1
尊敬的 TI 团队:
我计划在 CSD19536KTT、 UCC23313-Q1和 SN6501的帮助下为 EV 电池组设计高侧 MOSFET 驱动器。
我想让 TI 专家审查方框图。 请提供电子邮件 ID、以便我可以共享块数字进行审核。
Rami Reddy//电子邮件: ramireddy@sunmobility.com
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我计划在 CSD19536KTT、 UCC23313-Q1和 SN6501的帮助下为 EV 电池组设计高侧 MOSFET 驱动器。
我想让 TI 专家审查方框图。 请提供电子邮件 ID、以便我可以共享块数字进行审核。
Rami Reddy//电子邮件: ramireddy@sunmobility.com
您好、Reddy、
感谢您的分享。 您的概念看起来很坚实。 我唯一的建议是将一个栅极电阻器与每个并联 FET 串联。 这将在 FET 之间引入一些阻抗、并防止它们之间可能出现寄生振荡。 以下是我的好朋友编写的应用简报、他对该简报进行了更详细的描述: www.ti.com/.../slvaf39a.pdf
如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮。
此致、
Don
尊敬的 Don
感谢您的反馈。 我们将添加单个栅极电阻器。
在方框图中:我考虑了背对背 MOSFET 的共源极点,我将其用作隔离电源的参考接地。
考虑到所有这些最坏的情况、这是否正常
通用源是浮点。 当 MOSFET 导通时、共源极点从0V 变为60V。
2.背靠背 MOSFET 的输出连接到充电器/电机控制器。 充电器电压介于40V-60V 之间、因此电池组电压也是如此。 但是、每当我们要打开 MOSFET 时、我们都会将充电器电压设置为小于电池电压、以实现平滑的充电传输。
您是否忘记了所有 这些对 MOSFET 栅极驱动的任何问题??