[参考译文] LM5576：总功率损耗估算

你(们)好

Webench 结果是对的、通常在固定输入电压和 IO 中、损耗将类似、与输出电压关系不大、因此对于48V 输入电压、 5V 1A、功率损耗为1.4W。 当输出为28V 时、效率将约为28W/(28W+1.4W)=95.2%

谢谢  

金：

1您从数据表中得到的效率曲线是输出为5V 的 EVM，输出为5V 1A，效率为78%-79%，因此损耗为(5*1/0.78)*0.22=1.4W

2我的计算基于损耗是恒定的，但实际上它会因电感器和占空比而稍有不同，因此我的结果是粗略的，Webench 将更加准确。  

谢谢

李丹尼尔

尊敬的 Kim：

正如我所说，按职责来看，这种情况会稍有不同。

您计算的二极管是正确的， 高侧 MOSFET 导通损耗= IO^2*D*Rdson，二极管损耗为 VF*IO*(1-D)。 因此、当您降低二极管损耗时、您将增大高侧 FET 的传导损耗、 总损耗将略有变化。

开关损耗仅与 VIN、IO 、电感器电流纹波有关、 与 Vo 无关。

主要损耗由开关损耗、导通损耗、二极管损耗、电感器损耗造成。 这就是在相同的 Vin、IO 但不同的占空比条件下总损耗将接近(但不相同)的原因。

当客户首次计算效率时、他们使用79%的效率、实际上是在5V 1A 条件下、这就是错误的原因。 这意味着客户已经认为在28V 1A 时，它将具有相同的效率。 您可以看到 我们的降压转换器数据表-从半负载到满载、更高的 Vo 将具有更高的效率。 因为当您增加输出功率和功率损耗时，只会发生一点变化，这将使效率提高。  

谢谢