[参考译文] TPS23752：5V 200mA 时的 TPS23752效率

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器件型号：TPS23752
主题中讨论的其他器件： TPS23758EVM-080

尊敬的 Sirs：w

我们在负载为5V 200mA 时测试了 TPS23752的评估板。

效率低于预期。

是否有办法对设计进行调优以在该负载下获得更好的性能？

BR Carsten Bode

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386620 points

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Carsten、您好！

直流/直流开关电源在轻负载下的效率较低是其特性。这是因为占空比较低、因此 MOSFET 和二极管关断时间较长、从而导致更多功率损耗。因此、对于任何开关直流/直流电源、轻负载的效率将始终低于高负载。

轻负载和25W 的最佳拓扑是二极管反激式-但它们仅非常适合12V 输出设计。因此、轻负载时的效率存在限制。

话虽如此、您可能会得到栅极电荷更低且更昂贵的 MOSFET。这里的器件位于频谱的较低成本/性能方面。类似地、您也可以获得更昂贵的二极管。

您还可以尝试使用缓冲器来降低损耗。

您可能会得到较大的 Q4 BJT。

您还可以将输入二极管电桥更改为 MOSFET。

如果此帖子回答了您的问题、请将此主题标记为已解决。谢谢你。

此致、

Michael P.

应用工程师

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386620 points

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您好、Michael、

感谢您的详细回答。

如果我们将次级侧从5V 更改为12V、则会在 POE 侧获得增益、但在次级侧则会获得 SOC 和 DDR 所需的内核电压。

您是否建议为初级侧或同步整流器使用较低的栅极电荷 MOSFET？我想我们在初级侧需要它。在轻负载情况下、我们无论如何都从同步整流器更改为二极管。对于初级 MOSFET、我们可以尝试使用 SI7898的半栅极和较低的 Rds-on。

我们可以使用理想电桥替换输入电桥、这应将效率提高约3%。

我们尝试降低频率、但这没有帮助。

到目前为止、我们没有尝试更改缓冲器。

BR Carsten

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2386620 points

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您可以查看 TPS23758EVM-080上的 FET 或在供应商网站上按栅极电荷搜索。栅极电荷会比 Rdson 产生更大的影响、因此应优先考虑这一点。此外、您将需要切换 FET 封装。

是的，更改频率没有什么帮助，因为变压器电感和反馈环路基于开关频率--您需要认真重新设计才能获得好处。

如果您有任何其他问题、请告知我们。

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此致、

Michael P.

应用工程师

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