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器件型号：UCC27212A-Q1 你(们)好
我有一些与 UCC27212A 相关的问题
1) 1) 内部自举二极管的最大正向电流是多少？
2) 2)我想使用20uf 作为引导电容器、因为引导电容器为 一些外部电路供电。 启动电容值是否存在任何限制？
你(们)好
我有一些与 UCC27212A 相关的问题
1) 1) 内部自举二极管的最大正向电流是多少？
2) 2)我想使用20uf 作为引导电容器、因为引导电容器为 一些外部电路供电。 启动电容值是否存在任何限制？
您好！
关于您的第二个问题、请参阅以下链接中的 E2E 主题、该主题讨论了如何在内部二极管之外使用外部自举二极管：
我正在等待团队对您的第一个问题的反馈。 今天和明天之间、我将向大家介绍最新情况。 请注意 、数据表中列出了内部二极管规格：
此致、
Leslie
您好！
该链接指向内部论坛、因此您很遗憾将无法查看该链接。 问题是、EVM 具有一个外部二极管和一个内部二极管。 答复如下：
"大多数应用中不需要外部自举二极管、除非自举二极管的平均电流可能超过100mA。 在本例中、我们建议放置一个外部自举二极管。 除非 MOSFET 的栅极电荷非常高和/或开关频率非常高、否则通常不会超过此电流。 如果不需要、您可以从 EVM 上移除自举二极管、或者查看是否未安装自举电阻器、从而从电路上移除自举二极管。"
正如 Leslie 先前所说的、20uF 电容器作为电容器、将导致启动时出现非常大的电流尖峰。 通常、自举路径中的电阻器用于降低该电流峰值和慢速充电。 不过、您会受到一些限制、因为在外部路径中放置电阻器只是意味着更多的电流将流经内部路径。 您可以在自举电容器和 HB 引脚之间放置一个电阻器、使其位于两个充电路径中。 缺点是电阻 器随后位于自举放电路径中、因此您将看到 HO 下降。 或者、您可以在 VDD 之前放置一个串联电阻器、但也有缺点。
总之、添加一个外部二极管是可以的、 并且有助于消耗一些峰值充电电流、从而保持在100mA 以下。 要确保的主要因素是即使在添加二极管后、峰值电流也不会超过限值。
谢谢、
Alex M