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[参考译文] BQ24780S：BTST 电阻器设计

admin
Guru**** 2555630 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1050969/bq24780s-btst-resistor-design

器件型号：BQ24780S

大家好、

我的客户在 BTST 电阻器上有烧坏的问题。  它们对 Rboot 使用0603规格3.3欧姆电阻。  

1. 这种电阻有问题吗？

2.如果客户遵循我们的 EVM 设计6.8欧姆、是否会改善此问题？ 或者、我们应该将电阻降低到1欧姆吗？

此致、

哈迪  

  • 0
    TI__Guru**** 2555630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hardy、

    我建议以下几点(各点与您的问题1和2不一致)：

    切换到高脉冲电阻器。 有些公司在这些方面确实很好。 它们通常具有有关脉冲额定值的非常详细的电阻器数据表。 它可以是相同的封装和电阻。

    2.像在 EVM 上那样将电阻增加到6.8欧姆。 如果您增大电阻、峰值脉冲电流将减小、从而降低功率耗散。

    3.选择具有更高功率耗散额定值的较大封装。

    我先尝试第二点。 也许还可以查看其 MOSFET 的栅极电荷、并有可能找到更好 的 MOSFET。

    谢谢、我希望这对您有所帮助、

    Peng

    *如果我的答案 令人满意，请在主题中按“此已解决的我的问题”