[参考译文] CSD13380F3：典型泄漏值或泄漏曲线

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1048256/csd13380f3-the-typical-leakage-value-or-curves-for-leakage

器件型号：CSD13380F3

大家好、

我的客户设计了一个非功率器件、并且一直在使用 CSD13380F3 N 沟道 MOSFET、由于其泄漏电流较低、因此获得了巨大成功。
数据表显示、8V 时的最大泄漏电流为25nA GS、9.6V 时的最大泄漏电流为50nA SD。我一直看到2.1V 时的泄漏 PA 较低。
数据表中未说明典型的泄漏值、也没有任何泄漏曲线。您曾使用什么方法来确定这些最大泄漏值？在25°C 或更高温度下、它们是否确实像150°C？
您是否曾看过这些器件在如此低的电压下的特性？还是专门用于泄漏？

您是否有关于器件在较低电压下泄漏电流的数据？

非常感谢你的帮助。

此致、

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 664280 points

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Zhonghui、您好！

感谢您向客户推广 TI FET。 IGSS 和 IDSS 的数据表限值是根据数据表中指定的25°C 下产品开发期间收集的特性数据确定的。请通过以下链接访问 MOSFET 支持与培训页面。您将在其中找到两篇关于数据表中未包含的内容的技术文章、其中包括 IGSS 和 IDSS 与电压和温度的标准化曲线图。如果客户需要更详细的数据、请通过定期电子邮件与我联系。

https://www.ti.com/power-management/mosfets/support-training.html

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 664280 points

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尊敬的 John：

感谢你的帮助。

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 664280 points

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尊敬的 John：

这篇文章中的图形与电压间的关系非常有趣。
e2e.ti.com/.../what-s-not-in-the-power-mosfet-data-sheet-part-2-voltage-dependent-leakage-currents

遗憾的是、图形是一个屏幕截图、并不能很好地显示实际比例。它们也适用于不同范围的 FET、因此我只能假设 FemtoFET 范围具有类似的响应与电压。

对于我的应用、小于3V 时的泄漏电流至关重要。目前、我发现的 FET 没有比 FemtoFET 范围更好的泄漏。 TI 管道中是否有任何针对低电压下的低泄漏进行了优化的东西？

谢谢

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 664280 points

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您好、Zhonghui、

再次感谢您向客户推广 TI FET。我将关闭此主题并通过定期电子邮件向您发送回复。

此致、

John

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] CSD13380F3：典型泄漏值或泄漏曲线