[参考译文] CSD88599Q5DC：将 FDMC8010DC 替换为 CSD88599Q5DC

Mladen、您好！

感谢您关注 TI FET。 CSD88599Q5DC 电源块是电机驱动应用的理想选择。 它已针对此应用进行了优化、包括顶部冷却、并在单个器件的空间中集成了两个 FET。 在电机驱动中、选择 MOSFET 的一个关键因素是导通电阻、因为导通损耗可能是主要的功率损耗。 考虑到这一点、TI 已将极低的导通电阻 FET 集成到这种5x6mm 的 Dual-Cool SON 封装中。 折衷是更高的电荷/电容、这会导致更高的开关损耗。 这就是将建议的最大开关频率限制为50kHz 的原因。 该封装无需外部散热器、可在多层 PCB 上实现约3W 的最大功率耗散。 添加散热器可根据气流和环境空气温度增加功率耗散能力。 下面是有用技术文章和 BLDC FET 选择工具的链接、该工具可估算功率损耗并允许用户比较多达3种不同的 TI 分立式和/或电源块 FET 解决方案。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/how-to-select-a-mosfet-part-2

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2019/10/29/selecting-the-right-power-mosfet-power-block-package-for-your-application

https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC

此致、

John Wallace

TI FET 应用

尊敬的 John：

感谢您的支持。

此致、

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