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[参考译文] ISO5852S：电源连接

admin
Guru**** 666710 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S, UCC14240-Q1, SN6505B
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection

器件型号：ISO5852S
主题中讨论的其他器件： UCC14240-Q1、 SN6505B

您好！

我想使用两个 ISO5852S IC 来驱动两个具有共源极的并联分支中的 SiC MOSFET (漏极不常见)。 MOSFET 将用作我的应用的高侧开关。 我有以下有关两个 MOSFET 偏置电源的问题。

1.能否为两个 IC 的控制侧使用通用电源？ 在这种情况下、两个 IC 将共享一个公共控制接地(GND1)。

2.能否为两个 IC 使用通用电源实现正偏置(VCC2)？ 在这种情况 下、两个 IC 将共享一个公共电源接地(GND2)。

3.我是否可以为两个 IC 使用通用电源进行负偏置(VEE2)？  在这种情况 下、两个 IC 将共享一个公共电源接地(GND2)。

4.是否会出现与接地参考相关的任何潜在问题(例如接地回路、短路等)？ 我的印象是、所有电源都以某种方式连接到接地端、这是否是接地环路/短路的问题？

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Jonathan、

    您能否分享一张有关如何连接 SiCFET 源的草图、或对其进行描述？

    例如

    1) 1)每对 SiCFET 源相互连接、但所有4个源并不连接。 例如、第一对连接在一起并拉至一个负载、第二对拉电流连接至另一个负载。 (高速钢的2个负载/输出)

    2)所有四个信号源都连接在一起，并且有(高侧开关只有1个负载/输出。)

    3)所有 sicfet 源都是独立的(4个不同的输出/负载)。

    最好

    Dimitri

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    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Dimitri、

    感谢您的回答。 随附了一个草图以供参考。

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Jonathan、  

    我假设这两个都是 N 沟道 SiCFET (源箭头使其看起来像一个 P 沟道 FET)

    在这种情况下、您可以为两个 IC 使用相同的偏置电源。 由于两个源都连接在一起、因此我们从中为两个栅极驱动器生成 VCC2和 VE2的基准将完全相同。  

    实际上、您可能只能使用一个 IC 来驱动并联的两个栅极、 但这取决于您是否需要以更高的频率开关 HSS。  

    通常情况下、HSS 只需以非常低的频率开启、因此、如果您可以接受较慢的开通/关断速度、您可能会与一个驱动器并联驱动它们。  

    如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮告知我。  

    最好

    Dimitri

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Dimitri、

    感谢您的回复。 没错、这些是 N 沟道 FET。  让我知道您对 控制端偏置(VCC1)的看法。 如果我们使用通用直流电源驱动两个 IC、是否会出现问题？ 由于直流电源(VCC1、VCC2)的公共接地、是否有可能产生接地环路？

    我计划使用两个 IC、它们具有不同的门控信号、这些信号在时间上不同步。

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    TI__Guru**** 666710 points
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    [引用 userid="502138" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection/3872912 #3872912">请告诉我您对 控制端偏置(VCC1)的看法。 如果我们使用通用直流电源来驱动两个 IC、是否会出现问题？

    这不是问题、也是正常情况。  

    初级侧的接地环路几乎不受关注、因为您将在底层或第2层上有接地平面、具体取决于 PCB 的层数。

    [引用 userid="502138" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection/3872912 #3872912"]由于直流电源(VCC1、VCC2)的公共接地、是否有可能创建接地环路？

    无论是否使用2个偏置电源、都可以创建接地环路。

    您只需要在内层上具有良好、不间断的接地层/覆铜(源极连接)。  

    [引用 userid="502138" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection/3872912 #3872912"]我计划使用两个具有不同门控信号的 IC、这些信号在时间上不同步[/quot]

    即使如此、只要源/ GND2基准相同、您就可以为两个 IC 使用单个偏置电源。  

    如果您的问题得到了解答、请按 绿色按钮告知我。  


    最好

    Dimitri

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    TI__Guru**** 666710 points
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    Dimitri、

    感谢您的回答。 您是否会建议 PCB 设计中用于高频运行的两个分离的接地平面(一个用于 GND1、另一个用于 GND2)？

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    TI__Guru**** 666710 points
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    除非 GND1和 GND2位于低侧、否则不能连接、即使如此、您也不想连接它们、除非进行非常简单的测试、因为您基本上可以消除隔离并打开电击风险等  

    如果您需要参考原理图/布局、我建议查看我们的一些参考设计、我们也会为每个参考设计提供完整的设计文件。

    https://www.ti.com/product/ISO5852S#reference-designs

    您的开关设计与 这些设计中的任何高侧驱动器都非常相似。 对于偏置电源、我不确定您是否已经选择了器件、但我建议查看 SN6505b/UCC14240-Q1 (非常酷的器件、但需要24V 输入电压)

    如果您希望我们在设计完成后对其进行审核、我们也可以这样做。 只需打开一个新线程。  

    如果您的问题得到了解答、请按 绿色按钮告知我。  

    最好

    Dimitri

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    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Dimitri、

    感谢您的回复。 实际上、通过提及两个接地的两个单独平面、我是指设计决策、是否值得为 GND1使用接地平面而不是布线。 我知道、连接两个接地端实际上首先会使使用隔离式栅极驱动器 IC 的整个目的失败。

    感谢您推荐偏置电源选项。 我将对其进行研究。

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    TI__Guru**** 666710 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [引用 userid="502138" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection/3873069 #3873069"]

    感谢您的回复。 实际上、通过提及两个接地的两个单独平面、我是指设计决策、是否值得为 GND1使用接地平面而不是布线。 我知道、连接两个接地端实际上首先会使使用隔离式栅极驱动器 IC 的整个目的失败。

    [/报价]

    我误解了您的意思、 抱歉。 感谢您的澄清。

    [引用 userid="502138" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046593/iso5852s-power-supply-connection/3873069 #3873069"]实际上、我提到两个接地的两个单独平面、是指设计决策、即为 GND1使用接地平面而不是跟踪是否值得大量使用

    您可能会离开 GND1的布线、但有许多元件(滤波电容器、旁路电容器等)需要连接到 GND1、以便更好地为其提供一个平面。

    最好


    Dimitri