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[参考译文] TPS56C215:MOSFET 的寄生电容

Guru**** 2387830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046432/tps56c215-parasitic-capacitance-of-mosfet

器件型号:TPS56C215

您好的团队,

我能不能问 高侧和低侧 MOSFET 的寄生电容是多少?

此致!

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    您好、Nini、

    这与器件的内部 Mos 设计有关、通常我们不会与客户共享信息。 为什么需要这些参数?

    谢谢、

    Andrew

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    Andrew,您好,我想检查 DCM 模式期间 SW 振铃的振荡频率。

     fosc=1/(2πL (c1+c2))     、还是仅仅涉及振荡的 C2、这意味 着 fosc=1/(2πL (c1+c2))?

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    最后一个公式是:fosc=1/ 2πLC2

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    如果 LC 振荡仅涉及 C2,则电路环路为上述环路 。 然后  fosc=1/(2πLC2)  。

    我已经测试了振荡周期,如果与等式相匹配,则需要检查该周期。

    非常感谢!

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    您好、Nini、

    不错的尝试 根据我的理解和以前的材料、它与 C2相关。 但我想您可以尝试简单地添加一个与 C1并联的470pF 电容(在 SW 和 Vin 引脚之间)、看看振荡频率是否会改变。

    谢谢、

    Andrew

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    您好、Nini、

    让我们通过电子邮件或电话来讨论这一点。 我将首先关闭此主题。

    谢谢、

    Andrew