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[参考译文] LM27222:使高侧 FET 永久导通

Guru**** 2510095 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046545/lm27222-permanently-leave-high-side-fet-on

器件型号:LM27222

各位专家:

我们可以寻求帮助吗? 我们的客户只想确认 是否可以使高侧 FET 无限期保持开启状态、或者是否存在时间限制? 在激活高侧 FET 之前、他是否需要打开低侧 FET?

我们将等待您的确认。 非常感谢。

此致、
Gerald

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Gerald、您好、

    使用自举技术来生成高侧偏置意味着高侧 FET 不能持续导通。 必须对低侧 FET 进行足够切换、使自举电容器有一段时间进行充电。 请参阅 本文档 了解详细说明。 无论低侧开关是否首先是次要开关、其原因是没有偏置的高侧输入只会跳过、然后低侧将在下一个周期充电、直到一切都正确偏置。  

    有一种方法可以使用一些额外的组件实现100%占空比。 第一种方法是将自举电路替换为以 HS 为基准的隔离式电源。 另一种方法是实现电荷泵、如 本文档所示。 这两种方法都有额外的相关成本、但可用于为连续导通的高侧 FET 生成偏置。

    谢谢、

    Alex Mazany

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alex:

    非常感谢您的详细回答。 如果我们有进一步的疑虑、我们会告知您。  

    此致、
    Gerald