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[参考译文] TPS62136:创建到负载的旁路路径

Guru**** 667810 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62136, TPS62730
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046102/tps62136-creating-a-bypass-path-to-the-load

器件型号:TPS62136
主题中讨论的其他器件: TPS62730

大家好、

我想知道 、为 TPS62136降压转换器创建旁路路径最合适的方法是什么? 我想创建一条路径、其中 VCC 通过 P 沟道 MOSFET 直接连接到负载。 我目前正在考虑旁路路径的3种不同 MOSFET 配置。 所有3种设置均假定降压转换器已禁用(EN 引脚被拉至低电平)。 我不限于此处介绍的3种设置。 我也对其他选择持开放态度。

A.降压转换器输出后的单个 MOSFET。
旁路过程:降压 IC EN 引脚被拉至低电平并导通 Q1


b.电感器 L1之前的单个 MOSFET。 我将其基于作为内部旁路 FET 的 TPS62730降压 IC
旁路过程:降压 IC EN 引脚被拉 至低电平并导通 Q1

对于前两种方法、即使 EN 引脚被拉至低电平、反向反馈电流是否会进入降压 IC 的 SW 引脚? 单个 MOSFET 和禁用的 EN 引脚是否足够好以防止出现任何反向电流? 如果我在降压转换器的输出端放置另一个 MOSFET、以便在 Q1导通时使电路断开。 这是我要考虑的第三种设置

C.两个 MOSFET。


Q1是用于将 VCC 连接到负载的旁路 MOSFET
Q2是与降压转换器串联的 MOSFET

旁路过程:降压 IC EN 引脚被拉至低电平并关闭 Q2和导通 Q1

1.您建议使用以下三种方法中的哪一种?

绕过降压转换器以在最小压降下为负载提供完整 VCC 电压的其他替代方法是什么?


谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Deniel:

    当 VIN 和 VOUT 彼此接近或是否存在任何特定条件或条件集、您是否尝试创建旁路? TPS62136具有100%占空比模式、在这种情况下、内部 HSFET 处于开启状态、其作用类似于上述选项 B。 当然、这在 VOUT 之前在电感器上具有额外的 IR 压降。

    方案 A 将提供最接近 VIN 的 VOUT、您可以在输入端( IC 的 VIN 网络和 VIN 引脚之间)添加一个二极管-在  转换器上施加没有 VIN 的外部电压时、请查看 www.ti.com/.../slyt689.pdf 以了解相关提示。 这或者您的选项 C 也应该起作用。 但是、对于选项 C、您将需要额外的控制电路来保持 Q1开/关、并且您必须确保在 负载时调节 VOUT、因此必须在 Q2之后抽头反馈。

    谢谢、

    模块